 |
Soczewka przezroczysta 4H-SEMI o twardości 9,0 Sic bez domieszki
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | Chiny |
| Nazwa handlowa: | ZMKJ |
| Numer modelu: | dostosowany kształt soczewki sic |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 1 szt |
|---|---|
| Cena: | by case |
| Szczegóły pakowania: | pakiet pojedynczego wafla w 100-stopniowym pokoju do czyszczenia |
| Czas dostawy: | 1-6 tygodni |
| Zasady płatności: | T / T, Western Union, MoneyGram |
| Możliwość Supply: | 1-50 sztuk / miesiąc |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Materiał: | Pojedynczy kryształ SiC | Twardość: | 9,0 |
|---|---|---|---|
| Kształtować się: | Dostosowane | Tolerancja: | ± 0,05 mm |
| Aplikacja: | Soczewka optyczna | Rodzaj: | 4H-SEMI |
| Średnica: | Dostosowane | Oporność: | >1E8 |
| Kolor: | Przezroczysty | ||
| High Light: | Soczewka o twardości 9.0 Sic,soczewka 4H-SEMI Sic,soczewka optyczna z pojedynczym kryształem SiC |
||
opis produktu
2 cale/3 cale/4 cale/6 cale 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC wlewki/Wysokiej czystości 4H-N 4 cale 6 cali średnicy 150 mm monokrystaliczne (sic) wafle z węglika krzemu,
niedomieszkowana soczewka 4H-SEMI o wysokiej czystości, przezroczysta, dostosowana do indywidualnych potrzeb. Twardość 9,0
O węgliku krzemu (SiC)Crystal
| Nieruchomość | 4H-SiC, pojedynczy kryształ | 6H-SiC, pojedynczy kryształ |
| Parametry sieci | a=3,076 Å c=10,053 Å | a=3,073 Å c=15,117 Å |
| Sekwencja układania | ABCB | ABCACB |
| Twardość Mohsa | ≈9.2 | ≈9.2 |
| Gęstość | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm.Współczynnik rozszerzalności | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indeks załamania @750nm |
nie = 2,61 ne = 2,66 |
nie = 2,60 ne = 2,65 |
| Stała dielektryczna | c ~ 9,66 | c ~ 9,66 |
| Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm) |
a~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
|
| Przewodność cieplna (półizolacyjna) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
| Przerwa pasmowa | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Awaria pola elektrycznego | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Prędkość dryfu nasycenia | 2,0×105m/s | 2,0×105m/s |
Zastosowanie SiC w przemyśle urządzeń energetycznych
W porównaniu z urządzeniami krzemowymi, urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC) mogą skutecznie osiągnąć wysoką sprawność, miniaturyzację i niewielką wagę układów energoelektronicznych.Straty energii urządzeń zasilających SiC to tylko 50% urządzeń SiC, a wytwarzanie ciepła to tylko 50% urządzeń krzemowych, SiC ma również wyższą gęstość prądu.Przy tym samym poziomie mocy, objętość modułów mocy SiC jest znacznie mniejsza niż modułów mocy krzemowych.Na przykładzie inteligentnego modułu mocy IPM, wykorzystując urządzenia zasilające SiC, objętość modułu można zmniejszyć do 1/3 do 2/3 krzemowych modułów mocy.
Istnieją trzy rodzaje diod mocy SiC: diody Schottky'ego (SBD), diody PIN oraz diody Schottky'ego sterowane barierą złącza (JBS).Ze względu na barierę Schottky'ego, SBD ma niższą wysokość bariery złącza, więc SBD ma tę zaletę, że ma niskie napięcie przewodzenia.Pojawienie się SiC SBD rozszerzyło zakres zastosowań SBD z 250V do 1200V.Ponadto jego właściwości w wysokiej temperaturze są dobre, prąd upływu wstecznego nie wzrasta od temperatury pokojowej do 175°C. W dziedzinie zastosowań prostowników powyżej 3kV dużą uwagę poświęcono diodom SiC PiN i SiC JBS ze względu na ich wyższe napięcie przebicia , szybsza prędkość przełączania, mniejszy rozmiar i lżejsza waga niż prostowniki krzemowe.
Urządzenia SiC power MOSFET mają idealną odporność na bramkę, szybkie przełączanie, niską rezystancję i wysoką stabilność.Jest to preferowane urządzenie w zakresie urządzeń zasilających poniżej 300V.Istnieją doniesienia, że pomyślnie opracowano MOSFET z węglika krzemu o napięciu blokowania 10kV.Naukowcy są przekonani, że tranzystory SiC MOSFET zajmą korzystną pozycję w dziedzinie 3kV - 5kV.
Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką SiC (SiC BJT, SiC IGBT) i tyrystor SiC (tyrystor SiC), urządzenia IGBT typu SiC P z napięciem blokującym 12 kV mają dobrą zdolność do przewodzenia prądu.W porównaniu z bipolarnymi tranzystorami Si, bipolarne tranzystory SiC mają 20-50 razy mniejsze straty przełączania i mniejszy spadek napięcia włączania.SiC BJT dzieli się głównie na emiter epitaksjalny BJT i emiter implantacji jonów BJT, typowy zysk prądu wynosi od 10 do 50.
| Nieruchomości | jednostka | Krzem | SiC | GaN |
| Szerokość pasma zabronionego | eV | 1.12 | 3,26 | 3,41 |
| Pole podziału | MV/cm | 0,23 | 2.2 | 3,3 |
| Mobilność elektronów | cm^2/Vs | 1400 | 950 | 1500 |
| Prędkość dryfu | 10^7 cm/s | 1 | 2,7 | 2,5 |
| Przewodność cieplna | W/cmK | 1,5 | 3,8 | 1,3 |
O firmie ZMKJ
ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości monokryształowy wafel SiC ( Silicon Carbide ) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego .Wafel SiC jest materiałem półprzewodnikowym nowej generacji o wyjątkowych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych , w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs , wafel SiC jest bardziej odpowiedni do zastosowań w urządzeniach wysokotemperaturowych io dużej mocy .Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, dostępne są zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowane azotem i półizolujące.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.
Często zadawane pytania:
P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?
Odp .: (1) Akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.
(2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i!
Fracht to jan zgodnie z faktycznym rozliczeniem.
P: Jak zapłacić?
Odp .: Depozyt T / T 100％ przed dostawą.
P: Jakie jest twoje MOQ?
Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 1 szt.jeśli 2-5 sztuk, to lepiej.
(2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk.
P: Jaki jest czas dostawy?
Odp .: (1) W przypadku produktów standardowych
W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontaktu.
P: Czy masz standardowe produkty?
O: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.