• 9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe
  • 9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe
  • 9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe
  • 9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe
  • 9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe
9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe

9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMKJ
Numer modelu: 6H-pół

Zapłata:

Minimalne zamówienie: 10 sztuk
Cena: by case
Szczegóły pakowania: pakiet pojedynczego wafla w 100-stopniowym pokoju do czyszczenia
Czas dostawy: 1-6 tygodni
Zasady płatności: T / T, Western Union, MoneyGram
Możliwość Supply: 1-50 sztuk / miesiąc
Najlepsza cena Kontakt

Szczegóły informacji

Materiał: Pojedynczy kryształ SiC Twardość: 9,4
Kształtować się: dostosowane 40X3x0.33mmt Tolerancja: ± 0,1 mm
Aplikacja: optyczny Rodzaj: 6h-n
Oporność: >1E5Ω Grubość: 0,33 mm
Powierzchnia: SSP
High Light:

Optyczne wafle z węglem krzemowym

,

wafle z węglem krzemu o twardości 9

,

4

opis produktu

 

2 cale/3 cale/4 cale/6 cale 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC wlewki/Wysokiej czystości 4H-N 4 cale 6 cali średnicy 150 mm monokrystaliczne (sic) wafle z węglika krzemu,

 

40x3mmt dostosowany kształt 6H-półtypu sic wafle krzemowo-węglowe do optycznych

O węgliku krzemu (SiC)Crystal

Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, to półprzewodnik zawierający krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest stosowany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach lub obu. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do uprawy urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysokich diody LED mocy.

1. Opis
 

 

Zastosowanie SiC w przemyśle urządzeń energetycznych

 

W porównaniu z urządzeniami krzemowymi, urządzenia zasilające z węglika krzemu (SiC) mogą skutecznie osiągnąć wysoką sprawność, miniaturyzację i niewielką wagę układów energoelektronicznych.Straty energii urządzeń zasilających SiC to tylko 50% urządzeń SiC, a wytwarzanie ciepła to tylko 50% urządzeń krzemowych, SiC ma również wyższą gęstość prądu.Przy tym samym poziomie mocy, objętość modułów mocy SiC jest znacznie mniejsza niż modułów mocy krzemowych.Na przykładzie inteligentnego modułu mocy IPM, wykorzystując urządzenia zasilające SiC, objętość modułu można zmniejszyć do 1/3 do 2/3 krzemowych modułów mocy.

 

Istnieją trzy rodzaje diod mocy SiC: diody Schottky'ego (SBD), diody PIN oraz diody Schottky'ego sterowane barierą złącza (JBS).Ze względu na barierę Schottky'ego, SBD ma niższą wysokość bariery złącza, więc SBD ma tę zaletę, że ma niskie napięcie przewodzenia.Pojawienie się SiC SBD rozszerzyło zakres zastosowań SBD z 250V do 1200V.Ponadto jego właściwości w wysokiej temperaturze są dobre, prąd upływu wstecznego nie wzrasta od temperatury pokojowej do 175°C. W dziedzinie zastosowań prostowników powyżej 3kV dużą uwagę poświęcono diodom SiC PiN i SiC JBS ze względu na ich wyższe napięcie przebicia , szybsza prędkość przełączania, mniejszy rozmiar i lżejsza waga niż prostowniki krzemowe.

 

Urządzenia SiC power MOSFET mają idealną odporność na bramkę, szybkie przełączanie, niską rezystancję i wysoką stabilność.Jest to preferowane urządzenie w zakresie urządzeń zasilających poniżej 300V.Istnieją doniesienia, że ​​pomyślnie opracowano MOSFET z węglika krzemu o napięciu blokowania 10kV.Naukowcy są przekonani, że tranzystory SiC MOSFET zajmą korzystną pozycję w dziedzinie 3kV - 5kV.

 

Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką SiC (SiC BJT, SiC IGBT) i tyrystor SiC (tyrystor SiC), urządzenia IGBT typu SiC P z napięciem blokującym 12 kV mają dobrą zdolność do przewodzenia prądu.W porównaniu z bipolarnymi tranzystorami Si, bipolarne tranzystory SiC mają 20-50 razy mniejsze straty przełączania i mniejszy spadek napięcia włączania.SiC BJT dzieli się głównie na emiter epitaksjalny BJT i ​​emiter implantacji jonów BJT, typowy zysk prądu wynosi od 10 do 50.

 

 

Nieruchomości jednostka Krzem SiC GaN
Szerokość pasma zabronionego eV 1.12 3,26 3,41
Pole podziału MV/cm 0,23 2.2 3,3
Mobilność elektronów cm^2/Vs 1400 950 1500
Prędkość dryfu 10^7 cm/s 1 2,7 2,5
Przewodność cieplna W/cmK 1,5 3,8 1,3

 


 

Zastosowanie SiC w przemyśle LED

 

Obecnie kryształ szafiru jest pierwszym wyborem dla materiału podłoża stosowanego w przemyśle urządzeń optoelektronicznych, ale szafir ma pewne wady, których nie można przezwyciężyć, takie jak niedopasowanie sieci, niedopasowanie naprężeń termicznych, wysoka rezystywność jako izolator i słaba przewodność cieplna .Dlatego też doskonałe właściwości podłoży SiC przyciągnęły wiele uwagi i są bardziej odpowiednie jako materiały podłoża dla diod elektroluminescencyjnych (LED) i diod laserowych (LD) opartych na azotku galu (GaN).Dane firmy Cree pokazują, że zastosowanie węglika krzemu Podłoże urządzenia LED może osiągnąć 70% współczynnik utrzymania światła do 50 000 godzin.Zalety SiC jako podłoża LED:

 

* Stała sieciowa warstwy epitaksjalnej SiC i GaN są dopasowane, a właściwości chemiczne są kompatybilne;

* SiC ma doskonałą przewodność cieplną (ponad 10 razy wyższą niż szafir) i zbliżoną do współczynnika rozszerzalności cieplnej warstwy epitaksjalnej GaN;

* SiC to przewodzący półprzewodnik, który można wykorzystać do budowy urządzeń o strukturze pionowej.Dwie elektrody są rozmieszczone na powierzchni i spodzie urządzenia, mogą rozwiązać różne niedociągnięcia spowodowane poziomą strukturą szafirowego podłoża;

* SiC nie wymaga aktualnej warstwy dyfuzyjnej, światło nie będzie pochłaniane przez materiał obecnej warstwy dyfuzyjnej, co poprawia efektywność ekstrakcji światła.

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC)

Węglik krzemu z wafla krystalicznego z karborundu SiC

Specyfikacja 3 ''Cal

 

Gatunek Produkcja Stopień naukowy Klasa manekina
Średnica 50,8 mm ± 0,38 mm lub inny rozmiar
Grubość 330 μm ± 25 μm
Orientacja opłatka Na osi: <0001>±0,5° dla 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI Poza osią: 4,0° w kierunku 1120 ±0,5° dla 4H-N/4H-SI
Gęstość mikrorur ≤5 cm-2 ≤15 cm-2 ≤50 cm-2
Oporność 4H-N 0,015~0,028 Ω·cm
  6H-N 0,02~0,1 Ω·cm
  4/6H-SI > 1E5 Ω·cm (90%) >1E5 Ω·cm
Mieszkanie podstawowe {10-10}±5,0°
Podstawowa długość płaska 22,2 mm±3,2 mm
Druga płaska długość 11,2 mm ± 1,5 mm
Drugorzędna orientacja płaska Krzem do góry: 90° CW.od Prime flat ±5,0°
Wykluczenie krawędzi 2 mm
TTV/Łuk/Wypaczenie ≤15μm /≤25μm /≤25μm
Chropowatość Polski Ra≤1 nm
CMP Ra≤0,5 nm
Pęknięcia przez światło o wysokiej intensywności Nic 1 dozwolone,≤ 1mm 1 dozwolony, ≤2 mm
Sześciokątne płytki o wysokiej intensywności światła Łączny obszar ≤ 1% Łączny obszar ≤ 1% Powierzchnia skumulowana ≤ 3 %
Obszary Polytype przez światło o wysokiej intensywności Nic Powierzchnia skumulowana ≤ 2% Powierzchnia skumulowana ≤ 5%
Zadrapania spowodowane światłem o dużej intensywności 3 rysy do 1לrednica wafla o łącznej długości 5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości 8 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości
Chip krawędzi Nic 3 dozwolone, ≤0,5 mm każdy 5 dozwolonych, każdy ≤1 mm
Zanieczyszczenie przez światło o wysokiej intensywności Nic
Pokaz produktów
9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe 19.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe 29.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe 39.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe 49.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe 59.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe 6
 

O firmie ZMKJ

 

ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości monokryształowy wafel SiC ( Silicon Carbide ) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego .Wafel SiC jest materiałem półprzewodnikowym nowej generacji o wyjątkowych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych , w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs , wafel SiC jest bardziej odpowiedni do zastosowań w urządzeniach wysokotemperaturowych io dużej mocy .Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, dostępne są zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowane azotem i półizolujące.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.

 

Często zadawane pytania:

P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?

Odp .: (1) Akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.

(2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i!

Fracht to janzgodnie z faktycznym rozliczeniem.

 

P: Jak zapłacić?

Odp .: Depozyt T / T 100% przed dostawą.

 

P: Jakie jest twoje MOQ?

Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 1 szt.jeśli 2-5 sztuk, to lepiej.

(2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk.

 

P: Jaki jest czas dostawy?

Odp .: (1) W przypadku produktów standardowych

W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.

W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontaktu.

 

P: Czy masz standardowe produkty?

O: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.

 

Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie
Jestem zainteresowany 9.4 Twardość optyczne wióry Sic Chips Wafle krzemowo-węglowe czy mógłbyś przesłać mi więcej informacji, takich jak rodzaj, rozmiar, ilość, materiał itp.
Dzięki!
Czekam na Twoją odpowiedź.