Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium

Podstawowe informacje
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMKJ
Numer modelu: Pojedynczy kryształ UTI-AlN-1inch
Minimalne zamówienie: 1 szt
Cena: by case
Szczegóły pakowania: pojedynczy pojemnik na wafle w pomieszczeniu sprzątającym
Czas dostawy: za 30 dni
Zasady płatności: T / T, Western Union, PayPal
Możliwość Supply: 10 sztuk / miesiąc
material: AlN crystal thickness: 400um
Orientation: 0001 podanie: urządzenia elektroniczne dużej mocy/wysokiej częstotliwości
application 2: 5G saw/BAW Devices Ra: 0.5nm
surface polished: Al face cmp, N-face mp crystal type: 2H
High Light:

wafel z azotku aluminium AlN

,

wafel z azotku aluminium 50

,

8 mm

dia50,8 mm 2 cale 1 calowe podłoże AlN / wafle monokrystaliczne AlN

10x10mm lub średnica 10mm dia25,4mm dia30mm, dia45mm, dia50,8mm AlN podłoże AlN wafle monokryształowe

 

Zastosowania szablonu AlN
 
opracowaliśmy szereg autorskich procesów i technologii do wytwarzania
wysokiej jakości szablony AlN.Obecnie nasz OEM jest jedyną firmą na świecie, która może produkować 2-6 cali AlN
szablony w wielkoskalowej produkcji przemysłowej o pojemności 300 000 sztuk w 2020 r. W celu spełnienia wymagań wybuchowych
zapotrzebowanie rynku na UVC-LED, komunikację bezprzewodową 5G, detektory i czujniki UV itp.
 
Obecnie dostarczamy klientom znormalizowany azot wysokiej jakości 10x10mm/Φ10mm/Φ15mm/Φ20mm/Φ25,4mm/Φ30mm/Φ50,8mm
Aluminiowe produkty z monokrystalicznego podłoża, a także mogą zapewnić klientom niepolarny 10-20 mm
Podłoże monokrystaliczne z azotku aluminium M-plane lub dostosuj niestandardowe 5 mm-50,8 mm do klientów
Monokrystaliczne podłoże z polerowanego azotku aluminium.Ten produkt jest szeroko stosowany jako wysokiej klasy materiał podłoża
Stosowany w chipach UVC-LED, detektorach UV, laserach UV i różnych wysokich mocach
/Pole urządzeń elektronicznych o wysokiej temperaturze/wysokiej częstotliwości.
 
 
Charakterystyczna specyfikacja
  • ModelUTI-AlN-10x10B-pojedynczy kryształ
  • Średnica 10x10±0,5mm; lub dia10mm, dia25,4mm lub dia30mm lub dia45mm;
  • Grubość podłoża (µm) 400± 50
  • OrientacjaOś C [0001] +/- 0,5°

Klasa jakości Klasa S (super) Klasa P (produkcja) Klasa R (Badania)

  • PęknięciaBrak Brak <3mm
  • FWHM-2θXRD@(0002) <150<300 <500
  • FWHM-HRXRD@(10-12) <100<200 <400
  • Chropowatość powierzchni [5×5µm] (nm)Al-face CMP <0,5 nm;N-face (powierzchnia tylna) MP <1,2um;
  • Powierzchnia użytkowa 90%
  • Absorbancja <50 ; <70 ; <100;
  • Orientacja 1-sza OD długości {10-10} ±5°;
  • TTV (µm)≤30
  • Łuk (µm)≤30
  • Osnowa (µm)-30~30
  • Uwaga: Te wyniki charakteryzacji mogą się nieznacznie różnić w zależności od używanego sprzętu i/lub oprogramowania
Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium 0

Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium 1

Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium 2

 

Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium 3

Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium 4

 
element nieczystości CO Si B Na WPS Ti Fe
PPMW27 90 5,4 0,92 0,23 <0,1 <0,1 <0,5 0,46 <0,5
 
 
Struktura krystaliczna

Wurcyt

Stała sieciowa (Å) a=3,112, c=4,982
Typ pasma przewodzącego Bezpośrednie pasmo zabronione
Gęstość (g/cm3) 3,23
Mikrotwardość powierzchni (test Knoopa) 800
Temperatura topnienia (℃) 2750 (10-100 barów w N2)
Przewodność cieplna (W/m·K) 320
Energia przerwy wzbronionej (eV) 6.28
Ruchliwość elektronów (V·s/cm2) 1100
Pole przebicia elektrycznego (MV/cm) 11,7

Urządzenia BAW Dia 50,8 mm 1 cal AlN wafel z azotku aluminium 5

Szczegóły kontaktu
Manager

Numer telefonu : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596