 |
2-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | Chiny |
| Nazwa handlowa: | ZMKJ |
| Numer modelu: | 2 cale AlN-szafir |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 5 szt |
|---|---|
| Cena: | by case |
| Szczegóły pakowania: | pojedynczy pojemnik na wafle w pomieszczeniu sprzątającym |
| Czas dostawy: | za 30 dni |
| Zasady płatności: | T / T, Western Union, PayPal |
| Możliwość Supply: | 50 sztuk / miesiąc |
|
Szczegóły informacji |
|||
| podłoże: | szafirowy wafel | warstwa: | Szablon AlN |
|---|---|---|---|
| grubość warstwy: | 1-5um | typ przewodnictwa: | N/P |
| Orientacja: | 0001 | podanie: | urządzenia elektroniczne dużej mocy/wysokiej częstotliwości |
| aplikacja 2: | Piła 5G/urządzenia BAW | grubość krzemu: | 525um/625um/725um |
| High Light: | 2-calowy szablon AlN,szablon do urządzeń 5G BAW AlN,2-calowe szafirowe podłoże |
||
opis produktu
2-calowe 4-calowe 6-calowe szablony AlN na bazie szafiru Folia AlN na szafirowym podłożu
2 cale na szafirowym podłożu AlN Warstwa szablonowa Wafel Do urządzeń 5G BAW
Zastosowania szablonu AlN
Nasz OEM opracował szereg zastrzeżonych technologii oraz najnowocześniejszych reaktorów wzrostu PVT i urządzeń, aby
wytwarzać różne rozmiary wysokiej jakości jednokrystalicznych wafli AlN, szablonów AlN.Jesteśmy jednym z niewielu wiodących na świecie
firmy high-tech, które posiadają pełną zdolność produkcyjną AlN do produkcji wysokiej jakości kulek i wafli AlN oraz zapewniają
profesjonalne usługi i rozwiązania „pod klucz” dla naszych klientów, ułożone z reaktora wzrostu i projektu strefy gorącej,
modelowanie i symulacja, projektowanie i optymalizacja procesów, wzrost kryształów,
opłatek i charakterystyka materiału.Do kwietnia 2019 roku złożyli ponad 27 patentów (w tym PCT).
Specyfikacja
Ch
charakterystyczna specyfikacja
charakterystyczna specyfikacja
Inna powiązana specyfikacja szablonu GaN 4 cale
| Podłoża GaN/Al₂O₃ (4") 4 cale | |||
| Przedmiot | Niedomieszkowany | Typ N |
Wysoko domieszkowany Typ N |
| Rozmiar (mm) | Φ100,0±0,5 (4") | ||
| Struktura podłoża | GaN na szafirze (0001) | ||
| Wykończenie powierzchni | (Standard: Opcja SSP: DSP) | ||
| Grubość (μm) | 4,5±0,5;20 ± 2; Dostosowane | ||
| Typ przewodzenia | Niedomieszkowany | Typ N | Wysoko domieszkowany typ N |
| Rezystywność (Ω·cm)(300K) | ≤0,5 | ≤0,05 | ≤0,01 |
| Jednolitość grubości GaN |
≤±10% (4") | ||
| Gęstość zwichnięcia (cm-2) |
≤5×108 | ||
| Powierzchnia użytkowa | ＞90% | ||
| Pakiet | Pakowane w czystym pomieszczeniu klasy 100. | ||
| Struktura krystaliczna |
Wurcyt |
| Stała sieciowa (Å) | a=3,112, c=4,982 |
| Typ pasma przewodzącego | Bezpośrednie pasmo zabronione |
| Gęstość (g/cm3) | 3,23 |
| Mikrotwardość powierzchni (test Knoopa) | 800 |
| Temperatura topnienia (℃) | 2750 (10-100 barów w N2) |
| Przewodność cieplna (W/m·K) | 320 |
| Energia przerwy wzbronionej (eV) | 6.28 |
| Ruchliwość elektronów (V·s/cm2) | 1100 |
| Pole przebicia elektrycznego (MV/cm) | 11,7 |
Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie