2-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW

Podstawowe informacje
Miejsce pochodzenia: Chiny
Nazwa handlowa: ZMKJ
Numer modelu: 2 cale AlN-szafir
Minimalne zamówienie: 5 szt
Cena: by case
Szczegóły pakowania: pojedynczy pojemnik na wafle w pomieszczeniu sprzątającym
Czas dostawy: za 30 dni
Zasady płatności: T / T, Western Union, PayPal
Możliwość Supply: 50 sztuk / miesiąc
substrate: sapphire wafer layer: AlN template
layer thickness: 1-5um typ przewodnictwa: N/P
Orientation: 0001 application: high power/high frequency electronic devices
application 2: 5G saw/BAW Devices silicon thickness: 525um/625um/725um
High Light:

2-calowy szablon AlN

,

szablon do urządzeń 5G BAW AlN

,

2-calowe szafirowe podłoże

2-calowe 4-calowe 6-calowe szablony AlN na bazie szafiru Folia AlN na szafirowym podłożu

2 cale na szafirowym podłożu AlN Warstwa szablonowa Wafel Do urządzeń 5G BAW

 

Zastosowania szablonu AlN
 
Nasz OEM opracował szereg zastrzeżonych technologii oraz najnowocześniejszych reaktorów wzrostu PVT i urządzeń, aby
wytwarzać różne rozmiary wysokiej jakości jednokrystalicznych wafli AlN, szablonów AlN.Jesteśmy jednym z niewielu wiodących na świecie
firmy high-tech, które posiadają pełną zdolność produkcyjną AlN do produkcji wysokiej jakości kulek i wafli AlN oraz zapewniają
profesjonalne usługi i rozwiązania „pod klucz” dla naszych klientów, ułożone z reaktora wzrostu i projektu strefy gorącej,
modelowanie i symulacja, projektowanie i optymalizacja procesów, wzrost kryształów,
opłatek i charakterystyka materiału.Do kwietnia 2019 roku złożyli ponad 27 patentów (w tym PCT).
 
              Specyfikacja
Ch2-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW 0charakterystyczna specyfikacja

 

Inna powiązana specyfikacja szablonu GaN 4 cale

 

  Podłoża GaN/Al₂O₃ (4") 4 cale
Przedmiot Niedomieszkowany Typ N

Wysoko domieszkowany

Typ N

Rozmiar (mm) Φ100,0±0,5 (4")
Struktura podłoża GaN na szafirze (0001)
Wykończenie powierzchni (Standard: Opcja SSP: DSP)
Grubość (μm) 4,5±0,5;20 ± 2; Dostosowane
Typ przewodzenia Niedomieszkowany Typ N Wysoko domieszkowany typ N
Rezystywność (Ω·cm)(300K) ≤0,5 ≤0,05 ≤0,01
Jednolitość grubości GaN
 
≤±10% (4")
Gęstość zwichnięcia (cm-2)
 
≤5×108
Powierzchnia użytkowa >90%
Pakiet Pakowane w czystym pomieszczeniu klasy 100.
 

 

2-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW 12-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW 2

Struktura krystaliczna

Wurcyt

Stała sieciowa (Å) a=3,112, c=4,982
Typ pasma przewodzącego Bezpośrednie pasmo zabronione
Gęstość (g/cm3) 3,23
Mikrotwardość powierzchni (test Knoopa) 800
Temperatura topnienia (℃) 2750 (10-100 barów w N2)
Przewodność cieplna (W/m·K) 320
Energia przerwy wzbronionej (eV) 6.28
Ruchliwość elektronów (V·s/cm2) 1100
Pole przebicia elektrycznego (MV/cm) 11,7

2-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW 32-calowy szablon szafirowego podłoża AlN Wafel warstwowy do urządzeń 5G BAW 4

 

Szczegóły kontaktu
Manager

Numer telefonu : +8615801942596

WhatsApp : +8615801942596