 |
Polerowanie wlewka z węglika krzemu Podłoże SiC Chip Semiconductor 8 cali 200 mm
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | Chiny |
| Nazwa handlowa: | ZMKJ |
| Orzecznictwo: | ROHS |
| Numer modelu: | 8-calowe wafle sic 4h-n |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 1 szt |
|---|---|
| Cena: | by case |
| Szczegóły pakowania: | pojedynczy pakiet waflowy w 100-stopniowym pomieszczeniu do sprzątania |
| Czas dostawy: | 4-6 tygodni |
| Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Możliwość Supply: | 1-50 sztuk / miesiąc |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Materiał: | monokryształ SiC | Stopień: | Fałszywy stopień |
|---|---|---|---|
| grube: | 0,35 mm 0,5 mm | Powierzchnia: | dwustronnie polerowany |
| Aplikacja: | test polerowania producenta urządzenia | Średnica: | 200 ± 0,5 mm |
| Minimalne zamówienie: | 1 | Data dostarczenia: | 1-5 sztuk potrzebuje tygodnia więcej ilości potrzebuje 30 dni |
| High Light: | Polerowanie podłoża z węglika krzemu,pojedynczy kryształ SiC 200 mm,półprzewodnikowy półprzewodnik z węglika krzemu |
||
opis produktu
Podłoże SiC/płytki (150 mm, 200 mm) Węglik krzemu Ceramika Doskonała korozja Pojedynczy kryształ jednostronnie polerowany wafel krzemowy Producent wafli sic Polerowanie wafli krzemu Węglik krzemu SiC Wafer4H-N Wlewki SIC/200 mm SiC Wafle 200 mm SiC Wafle
Informacje o krysztale węglika krzemu (SiC).
Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, jest półprzewodnikiem zawierającym krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest używany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do hodowli urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysoko- diody mocy.
| Nieruchomość | 4H-SiC, pojedynczy kryształ | 6H-SiC, pojedynczy kryształ |
| Parametry kraty | a=3,076 A c=10,053 A | a=3,073 A c=15,117 A |
| Sekwencja układania | ABCB | ABCACB |
| Twardość Mohsa | ≈9,2 | ≈9,2 |
| Gęstość | 3,21 g/cm3 | 3,21 g/cm3 |
| Therm.Współczynnik rozszerzalności | 4-5×10-6/K | 4-5×10-6/K |
| Indeks załamania @750nm |
nie = 2,61 ne = 2,66 |
nie = 2,60 ne = 2,65 |
| Stała dielektryczna | ok. 9,66 | ok. 9,66 |
| Przewodność cieplna (typ N, 0,02 ohm.cm) |
a~4,2 W/cm·K przy 298 K c~3,7 W/cm·K przy 298K |
|
| Przewodność cieplna (półizolacja) |
a~4,9 W/cm·K przy 298 K c ~ 3,9 W/cm·K przy 298 K |
a~4,6 W/cm·K przy 298 K c ~ 3,2 W/cm·K przy 298 K |
| Przerwa wzbroniona | 3,23 eV | 3,02 eV |
| Załamanie pola elektrycznego | 3-5×106V/cm | 3-5×106V/cm |
| Prędkość dryfu nasycenia | 2,0 × 105 m/s | 2,0 × 105 m/s |
1) Przygotowanie wysokiej jakości kryształów zaszczepiających 4H-SiC o średnicy 200 mm;
2) Kontrola niejednorodności pola temperaturowego o dużych rozmiarach i procesu zarodkowania;
3) Efektywność transportu i ewolucja składników gazowych w systemach wzrostu kryształów o dużych rozmiarach;
4) Pękanie kryształów i proliferacja defektów spowodowane wzrostem naprężeń termicznych o dużych rozmiarach.
Aby sprostać tym wyzwaniom i uzyskać wysokiej jakości płytki SiC o średnicy 200 mm, proponuje się następujące rozwiązania:
Jeśli chodzi o przygotowanie kryształów zaszczepiających 200 mm, zbadano i zaprojektowano odpowiednie pole temperatury, pole przepływu i rozszerzający się zespół, aby uwzględnić jakość kryształu i rozszerzający się rozmiar;Rozpoczynając od 150 mm kryształu SiCseed, przeprowadź iterację kryształu zarodkowego, aby stopniowo zwiększać rozmiar kryształu SiC, aż osiągnie 200 mm; poprzez wzrost i przetwarzanie wielu kryształów, stopniowo optymalizuj jakość kryształu w obszarze ekspansji kryształu i popraw jakość kryształów zaszczepiających 200 mm.
n warunki przewodzącego crvstal 200 mm i przygotowania podłoża.badania zoptymalizowały konstrukcję pola przepływu pola temperaturowego pod kątem wzrostu kryształów o dużych rozmiarach, prowadzenia wzrostu kryształów przewodzącego SiC o średnicy 200 mm i kontroli jednorodności domieszkowania.Po zgrubnej obróbce i ukształtowaniu kryształu otrzymano 8-calowy przewodzący elektrycznie 4H-SiCingot o standardowej średnicy.Po cięciu, szlifowaniu, polerowaniu, obróbce w celu uzyskania płytek SiC 200 mm o grubości około 525um.
O firmie ZMKJ
ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości płytki monokrystaliczne SiC (węglik krzemu) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego.Płytka SiC to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, o unikalnych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych, w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs, płytka SiC jest bardziej odpowiednia do zastosowań w urządzeniach o wysokiej temperaturze i dużej mocy.Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowany azotem i dostępny typ półizolacyjny.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.
Często zadawane pytania:
P: jaki jest sposób wysyłki i koszt?
Odp.: (1) akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.
(2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i
Fracht to jaN zgodnie z faktycznym rozliczeniem.
P: jak zapłacić?
Odp .: T / T 100% depozytu przed dostawą.
P: Jakie jest twoje MOQ?
Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ to 1 szt.jeśli 2-5 sztuk to lepiej.
(2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk w górę.
P: Jaki jest czas dostawy?
A: (1) Dla produktów standardowych
W przypadku zapasów: czas dostawy wynosi 5 dni roboczych od złożenia zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontakt.
P: Czy masz standardowe produkty?
Odp .: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.