 
|
4H/6H Półizolacyjna płytka z węglanu krzemu do produkcji/badania/warstwa fałszywa
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | China |
| Nazwa handlowa: | ZMSH |
| Numer modelu: | Silicon Carbide |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 5 |
|---|---|
| Czas dostawy: | 2 weeks |
| Zasady płatności: | 100%T/T |
| Możliwość Supply: | 100000 |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Wykończenie powierzchni: | Polerowane jednostronnie/dwustronnie | TTV: | ≤2um |
|---|---|---|---|
| Cząstka: | Wolne/niskie cząstki | Chropowatość powierzchni: | ≤1,2 nm |
| Płaskość: | Lambda/10 | Orientacja: | Na osi/poza osią |
| Materiał: | Węglik krzemu | Rodzaj: | 4H-N/ 6H-N/ 4H-Półobraźliwe/ 6H-Półobraźliwe |
| High Light: | Wafelka Sic typu dummy,6H półizolacyjna płytka z węglanu krzemowego,Wafery z węglanu krzemowego klasy produkcyjnej |
||
opis produktu
Opis produktu:
Jako wiodący producent i dostawcaPłytka z podłoża SiC (karbidu krzemowego), ZMSH oferuje najlepszą cenę na rynku2 cali i 3 cali płytki podłoża z węglem krzemowym klasy badawczej.
Płytka z podłoża SiC jest szeroko stosowana w urządzeniach elektronicznych zwysoka moc i wysoka częstotliwość, np.diody emitujące światło (LED)i innych.
LED to rodzaj elementu elektronicznego, który wykorzystuje połączenie półprzewodnikowych elektronów i otworów.długą żywotność, niewielkie rozmiary, prostą strukturę i łatwe sterowanie.
Charakterystyka:
Jednokrystaliczny węglik krzemowy (SiC) ma doskonałe właściwości przewodzenia cieplnego, wysoką mobilność elektronów nasycenia i wysoką odporność na rozpad napięcia.Jest odpowiedni do przygotowania wysokiej częstotliwości, urządzeń elektronicznych o wysokiej mocy, wysokiej temperaturze i odpornych na promieniowanie.
Jednokrystaliczny SiC mawiele doskonałych właściwości, w tymwysoka przewodność cieplna,wysoka mobilność elektronów nasyconych,silne uszkodzenie przeciwnapięciowe, itp. Jest odpowiedni do przygotowaniawysoka częstotliwość,wysokiej mocy,wysoka temperaturaa takżeodporny na promieniowanieurządzenia elektroniczne.
Parametry techniczne:
Metoda wzrostuSubstrat z węglanu krzemowego,Wafer z węglowodorku krzemowego,Wafer SiC, orazSubstrat SiCjestMOCVDStrukturę kryształową może mieć6Hlub4H. Odpowiednie parametry siatki dla6Hsą (a=3,073 Å, c=15,117 Å) i dla4HWykorzystanie zestawu zestawów (a=3.076 Å, c=10.053 Å)6Hjest ABCACB, podczas gdy4Hjest ABCB.Wartość produkcji,Stopień badawczylubKlasy fałszywe, typ przewodności może być alboRodzaj NlubPółizolacja. Próżnia pasmowa produktu wynosi 3,23 eV, o twardości 9,2 (mohs), przewodności cieplnej przy 300K od 3,2 do 4,9 W/cm.K. Ponadto stałe dielektryczne są e(11) = e(22) = 9,66 i e(33) = 10.33. Oporność4H-SiC-Njest w zakresie od 0,015 do 0,028 Ω·cm,6H-SiC-Nwynosi od 0,02 do 0,1 Ω·cm i4H/6H-SiC-SIProdukt jest pakowany wKlasa 100czysty worek wKlasa 1000Czysty pokój.
Zastosowanie:
Płytka z węglem krzemowym (płytka SiC) jest doskonałym wyborem dla elektroniki samochodowej, urządzeń optoelektronicznych i zastosowań przemysłowych.Substrat SiC typu 4H-Na takżeSłonecznik SiC, półizolujący.
Substrat SiC typu 4H-N ma maksymalnie wytrzymały substrat typu n z przewidywalnymi i powtarzalnymi wartościami odporności. Charakteryzuje się niską ekspansją termiczną i doskonałą stabilnością temperatury.Ten podłoże SiC jest idealne do wymagających zastosowań z wysoką częstotliwością pracy z dużą mocą cieplną i elektryczną.
Półizolacyjne podłoże SiC ma bardzo niski poziom wewnętrznego akceptoru ładunku bazowego.Ten rodzaj podłoża SiC jest idealny do stosowania jako podłoże epitaksyalne i do zastosowań, takich jak urządzenia przełącznikowe o dużej mocy, czujniki wysokiej temperatury i wysoka stabilność termiczna.
Wsparcie i usługi:
Jesteśmy dumni, że możemy zaoferować wsparcie techniczne i usługi dla naszych produktów z silikonowego węglanu.Nasz zespół doświadczonych i kompetentnych specjalistów jest do Państwa dyspozycji, aby pomóc Państwu w wszelkich pytaniach lub wątpliwościach.Oferujemy szereg usług, w tym:
- Doradztwo techniczne i wsparcie w celu uzyskania jak największej korzyści z produktu
- Wskazówki dotyczące wyboru najlepszej płytki dla konkretnych potrzeb
- Pomoc w montażu i konfiguracji płytek
- Pomoc w rozwiązywaniu jakichkolwiek problemów
- Ciągłe konserwacje i ulepszenia, aby Twoje płytki działały prawidłowo
Opakowanie i wysyłka:
Opakowanie i wysyłka płytek z węglanu krzemowegoPłytki z węglika krzemowego są wysyłane w bezpiecznym opakowaniu statycznym, aby zapewnić, że pozostaną nieuszkodzone.- wkład piany z wgłębionymi kieszeniami do ochrony każdej płytki. - torba ochronna statyczna do wkładu piankowego. - torba zabezpieczająca przed wilgocią (zamknięta pod próżnią). - pudełko zewnętrzne chroniące opakowanie przed siłami zewnętrznymi.Opakowanie zawiera również etykietę zawierającą informacje o produkciePrzesyłka odbywa się za pośrednictwem niezawodnej usługi kurierskiej z podanymi informacjami o śledzeniu.Częste pytania:
- P: Czym jest płytka z węglem krzemowym?
- Odp.: Wafer z węglem krzemowym jest materiałem półprzewodnikowym wykonanym z krzemu i węgla.
- P: Jaka jest nazwa marki płytki z węglanu krzemowego?
- A: Nazwa marki płytki z węglanu krzemowego to ZMSH.
- P: Jaki jest numer modelu płytki z węglem krzemowym?
- A: Numer modelu płytki z węglem krzemowym to węglem krzemowym.
- P: Jakie jest miejsce pochodzenia płytki z węglanu krzemowego?
- Odpowiedź: Krajem pochodzenia płytek z węglanu krzemowego jest Chiny.
- P: Jaka jest minimalna ilość zamówienia płytki z węglanu krzemowego?
- Odpowiedź: Minimalna ilość zamówienia płytki z węglanu krzemowego wynosi 5.
- P: Jaki jest czas dostawy płytki z węglanu krzemowego?
- Odp.: Czas dostawy płytki z węglem krzemowym wynosi 2 tygodnie.
- P: Jakie są warunki płatności płytki z węglem krzemowym?
- O: Warunki płatności płytki z węglem krzemowym wynoszą 100% T/T.
- P: Jaka jest zdolność do dostarczania płytek z węglanu krzemowego?
- Odpowiedź: Zdolność do dostarczania płytek z węglanu krzemowego wynosi 100000.