Epi Ready 4c InP Wafery N Typ P Typ EPF < 1000cm^2 Z grubością 325mm±50mm
Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: | Chiny |
Nazwa handlowa: | ZMSH |
Szczegóły informacji |
|||
Wielkość: | 2 cale lub konfigurowalny | Średnica: | 50,05 mm ± 0,2 |
---|---|---|---|
Domieszka: | S-C-N/S | Gęstość: | 350um±25 lub konfigurowalny |
Opcja płaska: | ej | Podstawowa orientacja: | [0-1-1]±0,02° |
Druga orientacja płaska: | [0-11] | Długość drugiej płaskości: | 7 mm±1 |
Koncentracja nośników: | 2E18~8E18cm-3 | Mobilność: | 000~2000cm2/V·Sek |
High Light: | P-typowe płytki InP o średnicy 4 cali,Epi gotowe 4-calowe płytki InP,4-calowe płytki InP |
opis produktu
Epi gotowe płytki InP o grubości 4 cali typu N typu p typu EPF < 1000cm^2 o grubości 325um±50um
Streszczenie produktu
Nasz produkt, "Wysokiej Czystości Indium Phosphide (InP) Wafer", stoi na czele innowacji półprzewodnikowych.półprzewodnik binarny znany ze swej wyższej prędkości elektronowejNasza płytka oferuje niezrównaną wydajność w zastosowaniach optoelektronicznych, szybkich tranzystorach i diodach tunelowych rezonansowych.Z szerokim zastosowaniem w urządzeniach elektronicznych o wysokiej częstotliwości i mocyNasza płytka jest kamieniem węgielnym nowej generacji technologii.w nowoczesnych telekomunikacjach.Służąc jako podłoże dla lasera i fotodiod w aplikacjach Datacom i Telecom, nasza płytka bezproblemowo integruje się z infrastrukturą krytyczną.Nasz produkt jest kamieniem węgielnym.Oferując 99,99% czystości, nasze płytki z fosforek india zapewniają niezrównaną wydajność i skuteczność,wprowadzanie postępu technologicznego w przyszłość.
Właściwości produktu
-
Wyższa prędkość elektronu:Wyrządzone z fosforku india, nasze płytki mają wyjątkową prędkość elektronową, przewyższającą konwencjonalne półprzewodniki, takie jak krzemowy.Atrybut ten potwierdza ich skuteczność w zastosowaniach optoelektronicznych, szybkie tranzystory i diody tunelowe rezonansowe.
-
Wydajność wysokiej częstotliwości:Nasze płytki są szeroko stosowane w urządzeniach elektronicznych o wysokiej częstotliwości i mocy, co dowodzi ich zdolności do łatwego spełniania wymagań operacyjnych.
-
Wydajność optyczna:Dzięki zdolności emitowania i wykrywania długości fal powyżej 1000 nm, nasze płytki doskonale sprawdzają się w szybkich systemach komunikacji światłowodowej, zapewniając niezawodną transmisję danych w różnych sieciach.
-
Wszechstronne podłoże:Służąc jako podłoże dla lasera i fotodiod w aplikacjach Datacom i Telecom, nasze płytki bezproblemowo integrują się z różnymi infrastrukturami technologicznymi,ułatwianie solidnej wydajności i skalowalności.
-
Czystość i niezawodność:Oferując czystość 99,99%, nasze płytki z fosforanem india gwarantują stałą wydajność i trwałość, spełniając rygorystyczne wymagania nowoczesnych technologii telekomunikacyjnych i danych.
-
Zaprojektowanie odporne na przyszłość:Nasze płytki są na czele innowacji w dziedzinie półprzewodników. Przewidują potrzeby nowych technologii, co czyni je niezastąpionymi komponentami dla połączeń światłowodowych.sieci dostępowe metro-ring, i centrów danych pośród zbliżającej się rewolucji 5G.
-
Specyfikacje:
Materiał InP jednokrystaliczny Orientacja < 100> Rozmiar ((mm) Dia 50,8 × 0,35 mm, 10 × 10 × 0,35 mm
10 × 5 × 0,35 mmBruki powierzchni Ra: ≤ 5A Polerowanie SSP (polerowane na jednej powierzchni) lub
DSP (polerowana podwójna powierzchnia)Właściwości chemiczne kryształu InP:
Krystal pojedynczy Doping Rodzaj przewodzenia Stężenie nośnika Wskaźnik mobilności Gęstość zwichnięć Wielkość standardowa InP / N (0,4-2) × 1016 (3.5-4) ×103 5x104 Φ2" × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmInP S N (0,8-3) ×1018
(4-6) ×1018(2.0-2.4) ×103
(1.3-1.6) ×1033x104
2x103Φ2" × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmInP Zn P (0,6-2) ×1018 70-90 2x104 Φ2" × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmInP Fe N 107-108 ≥ 2000 3x104 Φ2" × 0,35 mm
Φ3 × 0,35 mmPodstawowe właściwości:
Struktura kryształowa Tetraedryczne ((M4) Stała siatki a = 5,869 Å Gęstość 40,81 g/cm3 Punkt topnienia 1062 °C Masa kształtowa 1450,792 g/mol Wymiar Czarne kryształy sześcienne Stabilność chemiczna Nieznacznie rozpuszczalny w kwasach Mobilność elektronów ((@300K) 5400 cm2/(V·s) Próżnia pasma ((@ 300 K) 1.344eV Przewodność cieplna ((@ 300K) 00,68 W/ ((cm·K) Indeks załamania 3.55 ((@632.8nm) -
Zastosowanie produktu
-
Urządzenia optoelektroniczne:Nasze płytki z fosforku indyju są szeroko stosowane w optoelektroniki, w tym diody emitujące światło (LED), diody laserowe i fotodetektory.Ich wyższa prędkość elektronowa i wydajność optyczna sprawiają, że są idealne do produkcji wysokiej wydajności komponentów optoelektronicznych.
-
Transistory szybkie:Wyjątkowa prędkość elektronowa naszych płytek umożliwia wytwarzanie szybkich tranzystorów, niezbędnych do zastosowań wymagających szybkiego przetwarzania sygnału i prędkości przełączania.Tranzystory te są używane w telekomunikacji., systemy komputerowe i radarowe.
-
Komunikacja światłowodowa:Płytki z fosforku india są niezbędne w szybkich systemach komunikacji światłowodowej ze względu na ich zdolność do emitowania i wykrywania długości fali powyżej 1000 nm.Umożliwiają transmisję danych na duże odległości przy minimalnej utracie sygnału, co czyni je niezbędnymi dla sieci telekomunikacyjnych i centrów danych.
-
Diody tunelowe rezonansowe:Nasze płytki są wykorzystywane w produkcji diod tunelowych rezonansowych, które wykazują unikalny efekt tunelowania kwantowego.obrazowanie terahertzowe, i obliczeń kwantowych.
-
Elektronika wysokiej częstotliwości:Płytki InP są powszechnie stosowane w urządzeniach elektronicznych o wysokiej częstotliwości i mocy, w tym wzmacniaczach mikrofalowych, systemach radarowych i komunikacji satelitarnej.Ich wysoka mobilność elektronów i niezawodność sprawiają, że nadają się do wymagających zastosowań lotniczych i obronnych.
-
Infrastruktura danych i telekomunikacji:Służąc jako podłoże dla diod laserowych i fotodiod, nasze płytki przyczyniają się do rozwoju infrastruktury Datacom i Telecom,wspieranie szybkich sieci przesyłu danych i telekomunikacjiSą integralnymi komponentami nadajników optycznych, przełączników światłowodowych i systemów multipleksujących podział długości fali.
-
Technologie wschodzące:W miarę rozwoju nowych technologii, takich jak 5G, Internet Rzeczy (IoT) i autonomiczne pojazdy, popyt na płytki z fosforanem indyju będzie się tylko zwiększał.Te płytki będą odgrywać kluczową rolę w umożliwieniu komunikacji bezprzewodowej nowej generacji, sieci czujników i inteligentnych urządzeń.
-
Zalecenie dla innych produktów ((proszę kliknij zdjęcie i przejdź na stronę główną produktów)
- 1Epi - gotowy DSP SSP Sapphire Substrates Wafery 4 cali 6 cali 8 cali 12 cali
- 2/Szczególnie zaprojektowana szafirowa płytka, /dwucalowa dziura do medycyny i optyki.