 |
2 cale 3 cale 4 cale niedomieszkowany wafel arsenku galu półizolujący substrat GaAs do diod LED
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | CHINY |
| Nazwa handlowa: | zmkj |
| Numer modelu: | 4-calowy SEMI |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 5szt |
|---|---|
| Cena: | by case |
| Szczegóły pakowania: | pojedynczy wafel zapakowany w 6-calowe plastikowe pudełko pod N2 |
| Czas dostawy: | 2-4 tygodnie |
| Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Możliwość Supply: | 500szt miesięcznie |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Materiał: | Pojedynczy kryształ GaAs | rozmiar: | 4 cale |
|---|---|---|---|
| Grubość: | 625um lub na zamówienie | Z typu: | Z mieszkania |
| Orientacja: | （100）2 ° off | Powierzchnia: | DSP |
| metoda wzrostu: | vFG | ||
| Podkreślić: | podłoże waflowe,płytka półprzewodnikowa |
||
opis produktu
2 cale/3 cale/4 cale/6 cale Typ SCN/półizolowany/domieszkowany Si wafelkiem GaAs z arsenku galu
Opis produktu
Nasz półprzewodnikowy i półizolujący kryształ GaAs i wafel o przekątnej od 2 do 6 cali są szeroko stosowane w półprzewodnikowych układach scalonych i ogólnych zastosowaniach oświetleniowych LED.
| Funkcja | Pole aplikacji |
|---|---|
| Wysoka ruchliwość elektronów | Diody emitujące światło |
| Wysoka częstotliwość | Diody laserowe |
| Wysoka wydajność konwersji | Urządzenia fotowoltaiczne |
| Niski pobór mocy | Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów |
| Bezpośrednia przerwa pasmowa | Tranzystor bipolarny heterozłączowy |
Specyfikacje półprzewodnikowych płytek GaAs
Metoda wzrostu | VGF | |||
Domieszka | typ p: Zn | typ n: Si | ||
Kształt wafelka | Okrągłe (średnica: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientacja powierzchni * | (100)±0,5° | |||
* Inne orientacje mogą być dostępne na życzenie | ||||
Domieszka | Si (typ n) | Zn (typ p) | ||
Koncentracja nośnika (cm-3) | (0.8-4) × 1018 | (0,5-5) × 1019 | ||
Mobilność (cm2/VS) | (1–2,5) × 103 | 50-120 | ||
Gęstość wytrawiania (cm2) | 100-5000 | 3000-5000 | ||
Średnica wafla (mm) | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,3 | |
Grubość (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
WARP (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | |
OF (mm) | 17±1 | 22±1 | 32,5±1 | |
OF / JEŚLI (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | |
Polskie* | E/E, | E/E, | E/E, | |
Specyfikacje półizolacyjnej płytki GaAs
Metoda wzrostu | VGF | |||
Domieszka | Typ SI: węgiel | |||
Kształt wafelka | Okrągłe (DIA: 2", 3", 4", 6") | |||
Orientacja powierzchni * | (100)±0,5° | |||
* Inne orientacje mogą być dostępne na życzenie | ||||
Rezystywność (Ω.cm) | ≥ 1 × 107 | ≥ 1 × 108 | ||
Mobilność (cm2/VS) | ≥ 5000 | ≥ 4000 | ||
Gęstość wytrawiania (cm2) | 1500-5000 | 1500-5000 | ||
Średnica wafla (mm) | 50,8±0,3 | 76,2±0,3 | 100±0,3 | 150±0,3 |
Grubość (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 | 675±25 |
TTV [P/P] (µm) | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 | ≤ 4 |
TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
WARP (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 15 |
OF (mm) | 17±1 | 22±1 | 32,5±1 | KARB |
OF / JEŚLI (mm) | 7±1 | 12±1 | 18±1 | Nie dotyczy |
Polskie* | E/E, | E/E, | E/E, | E/E, |
FAQ –
P: Co możesz dostarczyć logistykę i koszty?
(1) akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF itp.
(2) Jeśli masz własny numer ekspresowy, to świetnie.
Jeśli nie, możemy pomóc Ci dostarczyć.Fracht = 25,0 USD (pierwsza waga) + 12,0 USD / kg
P: Jak zapłacić?
T / T, Paypal, West Union, MoneyGram, Bezpieczna płatność i gwarancja handlowa na Alibaba itp.
P: Jakie jest MOQ?
(1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 5 sztuk.
(2) W przypadku produktów niestandardowych MOQ wynosi 5 sztuk-20 sztuk.
To zależy od ilości i techniki
P: Czy masz raport z inspekcji materiału?
Możemy dostarczyć szczegółowy raport dla naszych produktów.
Opakowania – Logistyka
dbamy o każdy szczegół opakowania, czyszczenie, antystatykę, obróbkę wstrząsową.W zależności od ilości i kształtu produktu,
podejmiemy inny proces pakowania!