logo
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
Dom
O nas
profil firmy
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
produkty

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne
rozwiązania
blog
Skontaktuj się z nami
Created with Pixso.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
zacytować
Created with Pixso.
Dom
O nas
profil firmy
Wycieczka po fabryce
Kontrola jakości
produkty

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne
rozwiązania
blog
Skontaktuj się z nami
zacytować
Created with Pixso. Dom Created with Pixso. O nas Created with Pixso. Kontrola jakości
O nas
GORĄCE PRODUKTY
Lustro podwójnie boczne EFG do lamp laserowych i optycznych

Lustro podwójnie boczne EFG do lamp laserowych i optycznych

Precyzyjnie wykonany pręt szafirowy, wysoka czystość, monokryształ szafiru

Precyzyjnie wykonany pręt szafirowy, wysoka czystość, monokryształ szafiru

Optyki sterujące wiązkami UV do systemów laserowych i obrazowych

Optyki sterujące wiązkami UV do systemów laserowych i obrazowych

Włókna kwarcowe stopione Wysoka czystość Stabilność termiczna Jasność optyczna

Włókna kwarcowe stopione Wysoka czystość Stabilność termiczna Jasność optyczna

SiC Seed Crystal Diameter 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT

SiC Seed Crystal Diameter 153mm 155mm 203mm 205mm 208mm PVT

SiC Epitaxial Wafer 4H/6H SiC Substraty Doping grubości niestandardowej

SiC Epitaxial Wafer 4H/6H SiC Substraty Doping grubości niestandardowej

Skontaktuj się z nami
Mr. Wang
+8615801942596
8615801942596
eric406337393
wmqeric@sina.cn

Kontrola jakości

Kontrola jakości jest kluczem do udanej dostawy, stawiamy na stronę kupującego, aby zobaczyć, jak ważna jest jakość i staramy się dostarczać produkty najwyższej jakości. Wszystkie nasze produkty będą miały 100% kontroli jakości przed wysyłką.

    Skontaktuj się z nami