szczegółowe informacje o produktach

Dom produkty

Podłoże półprzewodnikowe

Półizolacyjne podłoże waflowe z niedomieszkowanym arsenem galu do oświetlenia LED 2 cale 3 cale 4 cale

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Półizolacyjne podłoże waflowe z niedomieszkowanym arsenem galu do oświetlenia LED 2 cale 3 cale 4 cale

Nazwa marki:	zmkj
Numer modelu:	2 cale SEMI
MOQ:	5 sztuk
Cena £:	by case
Szczegóły opakowania:	pojedynczy opłatek zapakowany w plastikowe pudełko 6" pod N2
Warunki płatności:	T/T, Western Union, MoneyGram

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Materiał:

Pojedynczy kryształ GaAs

Rozmiar:

4 cale

Grubość:

625um lub na zamówienie

TYPU:

Z mieszkania

Orientacja:

（100）2 ° off

Powierzchnia:

DSP

metoda wzrostu:

VFG

Możliwość Supply:

500 sztuk miesięcznie

Podkreślić:

4-calowy niedomieszkowany wafel z arsenku galu

półizolacyjne podłoże GaAs

oświetlenie LED wafel z arsenku galu

Opis produktu

2 cale/3 cale/4 cale/6 cale Typ SCN/półizolowany/domieszkowany Si wafelkiem GaAs z arsenku galu

Opis produktu

Nasz półprzewodnikowy i półizolujący kryształ GaAs i wafel o przekątnej od 2 do 6 cali są szeroko stosowane w półprzewodnikowych układach scalonych i ogólnych zastosowaniach oświetleniowych LED.

Funkcja i zastosowanie wafla GaAs

Funkcja	Pole aplikacji
Wysoka ruchliwość elektronów	Diody emitujące światło
Wysoka częstotliwość	Diody laserowe
Wysoka wydajność konwersji	Urządzenia fotowoltaiczne
Niski pobór mocy	Tranzystor o wysokiej ruchliwości elektronów
Bezpośrednia przerwa pasmowa	Tranzystor bipolarny heterozłączowy

Półizolacyjne podłoże waflowe z niedomieszkowanym arsenem galu do oświetlenia LED 2 cale 3 cale 4 cale 0

OPIS PRODUKTU

Specyfikacje półprzewodnikowych płytek GaAs

Metoda wzrostu	VGF
Domieszka	typ p: Zn		typ n: Si
Kształt wafelka	Okrągłe (średnica: 2", 3", 4", 6")
Orientacja powierzchni *	(100)±0,5°
* Inne orientacje mogą być dostępne na życzenie
Domieszka	Si (typ n)		Zn (typ p)
Koncentracja nośnika (cm-3)	(0.8-4) × 1018		(0,5-5) × 1019
Mobilność (cm2/VS)	(1–2,5) × 103		50-120
Gęstość wytrawiania (cm2)	100-5000		3000-5000
Średnica wafla (mm)	50,8±0,3	76,2±0,3		100±0,3
Grubość (µm)	350±25	625±25		625±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4		≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
WARP (µm)	≤ 10	≤ 10		≤ 10
OF (mm)	17±1	22±1		32,5±1
OF / JEŚLI (mm)	7±1	12±1		18±1
Polski*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P		E/E, P/E, P/P

Specyfikacje półizolacyjnej płytki GaAs

Metoda wzrostu	VGF
Domieszka	Typ SI: węgiel
Kształt wafelka	Okrągłe (DIA: 2", 3", 4", 6")
Orientacja powierzchni *	(100)±0,5°
* Inne orientacje mogą być dostępne na życzenie
Rezystywność (Ω.cm)	≥ 1 × 107		≥ 1 × 108
Mobilność (cm2/VS)	≥ 5000		≥ 4000
Gęstość wytrawiania (cm2)	1500-5000		1500-5000
Średnica wafla (mm)	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,3	150±0,3
Grubość (µm)	350±25	625±25	625±25	675±25
TTV [P/P] (µm)	≤ 4	≤ 4	≤ 4	≤ 4
TTV [P/E] (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 10
WARP (µm)	≤ 10	≤ 10	≤ 10	≤ 15
OF (mm)	17±1	22±1	32,5±1	KARB
OF / JEŚLI (mm)	7±1	12±1	18±1	Nie dotyczy
Polski*	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P	E/E, P/E, P/P

Półizolacyjne podłoże waflowe z niedomieszkowanym arsenem galu do oświetlenia LED 2 cale 3 cale 4 cale 2

FAQ –
P: Co możesz dostarczyć logistykę i koszty?
(1) akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF itp.
(2) Jeśli masz własny numer ekspresowy, to świetnie.
Jeśli nie, możemy pomóc Ci dostarczyć.Fracht = 25,0 USD (pierwsza waga) + 12,0 USD / kg
P: Jak zapłacić?
T / T, Paypal, West Union, MoneyGram, Bezpieczna płatność i gwarancja handlowa na Alibaba itp.
P: Jakie jest MOQ?
(1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 5 sztuk.
(2) W przypadku produktów niestandardowych MOQ wynosi 5 sztuk-20 sztuk.
To zależy od ilości i techniki
P: Czy masz raport z inspekcji materiału?
Możemy dostarczyć szczegółowy raport dla naszych produktów.

Opakowania – Logistyka
dbamy o każdy szczegół opakowania, czyszczenie, antystatykę, obróbkę wstrząsową.W zależności od ilości i kształtu produktu,
podejmiemy inny proces pakowania!

Tagi:

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

szczegółowe informacje o produktach

Półizolacyjne podłoże waflowe z niedomieszkowanym arsenem galu do oświetlenia LED 2 cale 3 cale 4 cale

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Półizolacyjne podłoże waflowe z niedomieszkowanym arsenem galu do oświetlenia LED 2 cale 3 cale 4 cale

4-calowy niedomieszkowany wafel z arsenku galu

półizolacyjne podłoże GaAs

oświetlenie LED wafel z arsenku galu

2 cale/3 cale/4 cale/6 cale Typ SCN/półizolowany/domieszkowany Si wafelkiem GaAs z arsenku galu

Opis produktu