opis produktu

Oryginalność płytek krzemowych CZ111 Rezystywność: 1-10 (ohm.cm) pojedyncza strona lub podwójna strona lakieru

Streszczenie produktu

Nasza płytka Si oferuje wysoką czystość i wyjątkową jednolitość, idealnie nadającą się do szerokiego zakresu zastosowań półprzewodnikowych i fotowoltaicznych.ta płytka umożliwia produkcję urządzeń o wysokiej wydajnościNiezależnie od tego, czy są one stosowane w układach zintegrowanych, ogniwach słonecznych, czy urządzeniach MEMS, nasze płytki Si zapewniają niezawodność i wydajność w wymagających zastosowaniach w różnych gałęziach przemysłu.

Wystawa produktów

Zastosowanie produktu

1. Obwody zintegrowane (IC): Nasza płytka Si służy jako podstawowy materiał do produkcji obwodów zintegrowanych stosowanych w szerokim zakresie urządzeń elektronicznych, w tym smartfonów, komputerów,i elektroniki samochodowejZapewnia stabilną platformę do składowania warstw półprzewodników i integracji różnych komponentów elektronicznych na jednym chipie.

2. Komórki fotowoltaiczne (PV): Nasza płytka Si jest wykorzystywana w produkcji wysokiej wydajności ogniw słonecznych do zastosowań fotowoltaicznych.,ułatwianie przekształcania światła słonecznego w energię elektryczną w panelach słonecznych i systemach energii ze źródeł odnawialnych.

3. Urządzenia MEMS: Nasza płytka Si umożliwia produkcję urządzeń Mikroelektromechanicznych Systemów (MEMS), takich jak akcelerometry, żyroskopy i czujniki ciśnienia.Zapewnia stabilną podstawę do integracji elementów mechanicznych i elektrycznych, umożliwiające precyzyjne wykrywanie i sterowanie w różnych zastosowaniach.

4. Elektronika mocy: Nasza płytka Si jest używana w urządzeniach półprzewodnikowych mocy, takich jak diody, tranzystory i tirystory do zastosowań elektroniki mocy.Umożliwia efektywną konwersję i sterowanie energią w pojazdach elektrycznych, systemów energii odnawialnej i urządzeń automatyki przemysłowej.

5. Urządzenia optoelektroniczne: Nasza płytka Si wspiera rozwój urządzeń optoelektronicznych, takich jak fotodetektory, modulatory optyczne i diody emitujące światło (LED).Służy jako platforma do integracji materiałów półprzewodnikowych z funkcjami optycznymi, umożliwiające zastosowanie w telekomunikacji, komunikacji danych i wykrywaniu optycznym.

6. Mikroelektronika: Nasza płytka Si jest niezbędna do produkcji różnych urządzeń mikroelektronicznych, w tym czujników, siłowników i komponentów RF.Zapewnia stabilny i jednolity podłoże do integracji komponentów elektronicznych o wymiarach mikroskalowych, wspierając postępy w dziedzinie elektroniki użytkowej, systemów motoryzacyjnych i urządzeń medycznych.

7. Czujniki: Nasza płytka Si jest wykorzystywana w produkcji czujników do różnych zastosowań, w tym monitorowania środowiska, czujników biomedycznych i automatyki przemysłowej.Umożliwia to wytwarzanie czujników wrażliwych i niezawodnych do wykrywania fizycznych, chemicznych i biologicznych.

8. Płyty słoneczne: Nasza płytka Si przyczynia się do produkcji paneli słonecznych do wytwarzania energii odnawialnej.umożliwiające przekształcenie światła słonecznego w energię elektryczną poprzez efekt fotowoltaiczny.

9. Urządzenia półprzewodnikowe: Nasza płytka Si jest wykorzystywana w produkcji szerokiej gamy urządzeń półprzewodnikowych, w tym tranzystorów, diod i kondensatorów.Zapewnia stabilny i jednolity podłoże do integracji materiałów półprzewodnikowych i produkcji komponentów elektronicznych do różnych zastosowań.

10. Mikrofluidyka: Nasza płytka Si wspiera rozwój urządzeń mikrofluidycznych do zastosowań takich jak systemy laboratoryjne na chipie, diagnostyka biomedyczna i analiza chemiczna.Zapewnia platformę integracji mikro kanałów, zawory i czujniki, umożliwiające precyzyjne sterowanie i manipulowanie płynami w mikroskali.

Właściwości produktu

1. Wysoka czystość: Nasza płytka Si wykazuje wysoką czystość, z niskim poziomem zanieczyszczeń i wad, zapewniając doskonałe właściwości elektryczne i wydajność urządzenia.

2. Jednolita struktura kryształowa: płytka posiada jednolitą strukturę kryształową z minimalnymi wadami, umożliwiając spójną produkcję urządzenia i niezawodną pracę.

3. Kontrolowana jakość powierzchni: Każda płytka podlega rygorystycznym procesom obróbki powierzchni w celu uzyskania gładkiej i wolnej od wad powierzchni,niezbędne do osadzania cienkich folii i tworzenia interfejsów urządzenia.

4. Dokładna kontrola wymiarów: Nasza płytka Si jest wytwarzana z precyzyjną kontrolą wymiarów, zapewniając jednolitą grubość i płaskość na całej powierzchni,ułatwianie dokładnych procesów wytwarzania urządzeń.

5. Dostosowalne specyfikacje: oferujemy szereg dostosowalnych specyfikacji dla naszych płytek Si, w tym stężenie dopingu, rezystywność i orientację,do spełnienia specyficznych wymagań różnych zastosowań półprzewodników.

6. Wysoka stabilność termiczna: płytka wykazuje wysoką stabilność termiczną, umożliwiając niezawodną pracę w szerokim zakresie temperatur bez narażania wydajności urządzenia.

7. Doskonałe właściwości elektryczne: Nasza płytka Si wykazuje doskonałe właściwości elektryczne, w tym wysoką mobilność nośnika, niskie prądy wyciekowe i jednolitą przewodność elektryczną,niezbędne do optymalizacji wydajności i wydajności urządzenia.

8. Kompatybilność z procesami półprzewodnikowymi: płytka jest kompatybilna z różnymi technikami przetwarzania półprzewodników, w tym epitaksją, litografią i etyką,umożliwiająca płynną integrację z istniejącymi procesami produkcji.

9. Niezawodność i długowieczność: zaprojektowane dla długotrwałej niezawodności,Nasza płytka Si podlega rygorystycznym środkom kontroli jakości, aby zapewnić stałą wydajność i trwałość przez cały okres jej eksploatacji.

10. Przyjazna dla środowiska: Nasza płytka Si jest przyjazna dla środowiska, stanowiąc minimalne ryzyko dla zdrowia i środowiska podczas produkcji i eksploatacji,dostosowanie do zrównoważonych praktyk produkcyjnych.

11. Specyfikacje płytek krzemowych

    Pozycja	Jednostka	Specyfikacja
    Klasa	- Tak.	Pierwsza
    Krystaliczność	- Tak.	Monokrystaliczne
    Średnica	Wyloty	2 cala albo 3 cala albo 4 cala albo 6 cala albo 8 cala
    Średnica	mm	50.8±0.3 lub 76.2±0.3 lub 100±0.5 lub 154±0.5 lub 200±0.5
    Metoda wzrostu		CZ / FZ
    Dopant		Bor / fosfor
    Rodzaj	Rodzaj P / N
    Gęstość	μm	180 ¢ 1000±10 lub zgodnie z wymaganiami
    Orientacja		Część 1
    Odporność	Ω-cm	Zgodnie z wymaganiami
    Polerowanie		Politykowane z pojedynczej lub podwójnej strony
    SiO2warstwa (wyrastająca w wyniku utleniania termicznego) / Si3N4warstwa (rozwinięta przez LPCVD)		grubość warstwy zgodnie z wymaganiami
    Opakowanie		Zgodnie z wymaganiami