Dom

O nas

profil firmy

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

produkty

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Opłatek azotku galu

rozwiązania

blog

Skontaktuj się z nami

zacytować

Polecam wam te filmy

Powtórna rozgrywka

Następny filmik

Węglik krzemu (SiC) 10x10 mm Podłoże / Mały kwadratowy chip – Wysokowydajny SiC

Płytka z węglika krzemu

2025-08-29

126 poglądy

porozmawiaj teraz

Podział

#podłoże z węglika krzemu #sic wafel #krzem na waflach szafirowych

Kompleksowy przegląd chipów podłoża z węglanu krzemu (SiC) o wymiarach 10 × 10 mm Czip podłoża 10 × 10 mm węglika krzemowego (SiC) jest zaawansowanym materiałem bazowym półprzewodnika jednokrystaliczn... Zobacz więcej

Wiadomości odwiedzających Zostaw wiadomość.

Węglik krzemu (SiC) 10x10 mm Podłoże / Mały kwadratowy chip – Wysokowydajny SiC

Węglik krzemu (SiC) 10x10 mm Podłoże / Mały kwadratowy chip – Wysokowydajny SiC

porozmawiaj teraz

Ucz się więcej

Powiązane wideo

6H węglik krzemowy (SiC) kwadratowy wafer podłoża do mocy wysokiej częstotliwości

6H węglik krzemowy (SiC) kwadratowy wafer podłoża do mocy wysokiej częstotliwości

Płytka z węglika krzemu

Wysokiej czystości półizolacyjny proszek SiC HPSI/99,9999%

Wysokiej czystości półizolacyjny proszek SiC HPSI/99,9999%

Płytka z węglika krzemu

4H-SiC płytki epitaksyalne do MOSFETów ultrawysokiego napięcia (100 ‰ 500 μm, 6 cali)

4H-SiC płytki epitaksyalne do MOSFETów ultrawysokiego napięcia (100 ‰ 500 μm, 6 cali)

Płytka z węglika krzemu

2-calowy 4-calowy manekin Prime SiC Substrat Odporność na szok termiczny Pojedynczy wafel ceramiczny z węglika krzemu

2-calowy 4-calowy manekin Prime SiC Substrat Odporność na szok termiczny Pojedynczy wafel ceramiczny z węglika krzemu

Płytka z węglika krzemu

10 x 10 x 0,5 mm wafel z węglika krzemu 4H - N kryształowe chipy SiC

10 x 10 x 0,5 mm wafel z węglika krzemu 4H - N kryształowe chipy SiC

Płytka z węglika krzemu

4H-N / Semi Wlewek SiC i substrat Przemysłowy manekin 2 cale 3 cale 4 cale 6 cali

4H-N / Semi Wlewek SiC i substrat Przemysłowy manekin 2 cale 3 cale 4 cale 6 cali

Płytka z węglika krzemu

Polerowanie cylindrycznego pustego wafla z węglika krzemu Ceramiczny element optyczny SiC

Polerowanie cylindrycznego pustego wafla z węglika krzemu Ceramiczny element optyczny SiC

Płytka z węglika krzemu

Półizolacyjne płytki SiC 3 cali 76,2 mm 4H typu SiC dla półprzewodników

Półizolacyjne płytki SiC 3 cali 76,2 mm 4H typu SiC dla półprzewodników

Płytka z węglika krzemu

Monokrystaliczny SiC Węglik krzemu Podłoże waflowe Dummy Grade Dia153mm 156mm 159mm

Monokrystaliczny SiC Węglik krzemu Podłoże waflowe Dummy Grade Dia153mm 156mm 159mm

Płytka z węglika krzemu

Rurka safirowa KY (rurka safirowa wyhodowana w Kyropoulos)

Rurka safirowa KY (rurka safirowa wyhodowana w Kyropoulos)

Syntetyczne pręty laserowe Ruby (Cr:Al2O3) do urządzeń laserowych Długość do 200 mm

Syntetyczne pręty laserowe Ruby (Cr:Al2O3) do urządzeń laserowych Długość do 200 mm

Podłoże szafirowe

Mikroobrabiarka laserowa z prowadzeniem strumieniem wody

Mikroobrabiarka laserowa z prowadzeniem strumieniem wody

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Mikroprzepływowe urządzenie laserowe do obróbki płytek półprzewodnikowych

Mikroprzepływowe urządzenie laserowe do obróbki płytek półprzewodnikowych

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Rozstawcy szafirowi dla precyzyjnych urządzeń optycznych i półprzewodników

Rozstawcy szafirowi dla precyzyjnych urządzeń optycznych i półprzewodników

Sapphire Optical Windows

Czerkoniowo-ceramiczne elementy niestandardowe Wysokiej precyzji Elementy tlenku cyrkonu Producent

Czerkoniowo-ceramiczne elementy niestandardowe Wysokiej precyzji Elementy tlenku cyrkonu Producent

Części ceramiczne