 |
2-calowy substrat krystaliczny fosforanu galu wafel GaP 0,3 grubość pokryta warstwą
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | CHINY |
| Nazwa handlowa: | zmkj |
| Numer modelu: | 2 cale |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 5szt |
|---|---|
| Cena: | BY CASE |
| Szczegóły pakowania: | pojedyncze pudełko waflowe |
| Czas dostawy: | 2-4 tygodnie |
| Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Możliwość Supply: | 100szt |
|
Szczegóły informacji |
|||
| materiał: | 99,99 ％ kryształ pojedynczy | Orientacja: | 111 |
|---|---|---|---|
| rozmiar: | 2 cale | powierzchni: | docierane |
| Grubość: | 300um | aplikacji: | przemysł elektroniczny i optoelektroniczny |
| metoda wzrostu: | LE C | ||
| High Light: | podłoże waflowe,płytka półprzewodnikowa |
||
opis produktu
2-6-calowe kryształy kryształów fosforku galu (GaP), płytka GaP
ZMKJ może dostarczyć 2-calowy wafel GaP waflowo- galowy, który hodowany jest przez LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) jako gatunek epi-ready lub mechaniczny o typie n, p typu lub półizolacyjny w różnym kierunku (111) lub (100).
Fosforek galu (GaP), fosforek galu, jest złożonym materiałem półprzewodnikowym z pośrednią przerwą pasmową 2,26eV (300K). Materiał polikrystaliczny ma wygląd jasnopomarańczowych kawałków. Niedomieszkowane płytki jednokrystaliczne wyglądają jak pomarańczowe, ale płytki silnie domieszkowane wydają się ciemniejsze z powodu absorpcji przez wolny nośnik. Jest bezwonny i nierozpuszczalny w wodzie. Siarka lub tellur są stosowane jako domieszki do produkcji półprzewodników typu n. Cynk stosuje się jako domieszkę do półprzewodnika typu p. Fosforek galu ma zastosowanie w układach optycznych. Jego współczynnik załamania wynosi od 4,30 przy 262 nm (UV), 3,45 przy 550 nm (zielony) i 3,19 przy 840 nm (IR).
wysokiej jakości jednokrystaliczny wafel GaP (fosforek galu) do przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego o średnicy do 2 cali. Kryształ fosforu galu (GaP) jest pomarańczowo-żółtym półprzezroczystym materiałem utworzonym przez dwa elementy, płytka GaP jest ważnym materiałem półprzewodnikowym, który ma unikalne właściwości elektryczne jak inne materiały złożone III-V i jest szeroko stosowany jako czerwony, żółty i zielony LED (diody elektroluminescencyjne). Posiadamy płytkę GaP z pojedynczym kryształem do aplikacji LPE, a także płytkę GaP epi ready do aplikacji epitaksjalnej MOCVD i MBE. Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.
Specyfikacja elektryczna i dopingowa
| Nazwa produktu: | Substrat krystaliczny fosforku galu (GaP) | ||||||||||||||||||||||
Parametry techniczne: |
| ||||||||||||||||||||||
| Dane techniczne: |
| ||||||||||||||||||||||
| Standardowe pakowanie | 1000 czystych pomieszczeń, 100 czystych torebek lub jedno opakowanie | ||||||||||||||||||||||
| Dopant dostępny | S / Zn / Cr / Undoped |
|---|---|
| Rodzaj przewodności | N / P, Półprzewodzący / Półizolacyjny |
| Stężenie | 1E17 - 2E18 cm-3 |
| Ruchliwość | > 100 cm2 / vs |
Specyfikacja produktu
| Wzrost | LE C |
|---|---|
| Średnica | Ø 2 ” |
| Grubość | 300um |
| Orientacja | <100> / <111> / <110> lub inne |
| Off orientacja | Wyłącz 2 ° do 10 ° |
| Powierzchnia | Jedna strona polerowana lub dwie strony polerowane lub docierane |
| Opcje płaskie | EJ lub SEMI. Std. |
| TTV | <= 10 um |
| EPD | <= 2E5 cm-2 |
| Stopień | Epi polerowany gatunek / gatunek mechaniczny |
| Pakiet | Pojedynczy pojemnik waflowy |
Przykładowe Obrazy
NASZE POWIĄZANE Produkty
Płytki waflowe ZnO InP
sic wafle niestandardowe / standardowe wafle szafirowe
FAQ:
P: Jaki jest czas dostawy?
O: (1) Dla standardowych produktów
W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa trwa 2 lub 3 tygodnie po złożeniu zamówienia.
(2) W przypadku produktów o specjalnym kształcie dostawa wynosi 4 tygodnie robocze po złożeniu zamówienia.
P: Jakie jest twoje MOQ?
O: (1) W przypadku ekwipunku MOQ wynosi 3szt.
(2) W przypadku produktów niestandardowych MOQ wynosi 10-20 sztuk.
