Grube podłoże półprzewodnikowe InP Single Crystal InP o grubości 650um 4 cali

2 cale InP Wafle 3 cale 4 cale N / P TYP InP Półprzewodnikowe podłoże Wafle domieszkowane S + / Zn + / Fe +

wzrost (zmodyfikowana metoda VFG) jest używany do przeciągania pojedynczego kryształu przez ciekłą kapsułkę zawierającą tlenek boru, zaczynając od nasion.

Domieszkę (Fe, S, Sn lub Zn) dodaje się do tygla wraz z polikryształem.Wewnątrz komory stosowane jest wysokie ciśnienie, aby zapobiec rozkładowi fosforku indu.on firma opracował proces umożliwiający uzyskanie w pełni stechiometrycznego monokryształu o wysokiej czystości i małej gęstości dyslokacji.

Technika VFG stanowi udoskonalenie metody LEC dzięki zastosowaniu technologii przegrody termicznej w połączeniu z metodą numeryczną

modelowanie warunków wzrostu termicznego.tCZ to opłacalna, dojrzała technologia o wysokiej powtarzalności od bule do bule.

Aplikacje:
Ma zalety w postaci wysokiej elektronicznej prędkości granicznej, dobrej odporności na promieniowanie i dobrego przewodzenia ciepła.Nadaje się do wytwarzania urządzeń mikrofalowych o wysokiej częstotliwości, dużej prędkości i dużej mocy oraz układów scalonych.

Cechy:
1. Kryształ jest hodowany za pomocą technologii ciągnienia prostego (LEC) z uszczelnieniem cieczowym, z dojrzałą technologią i stabilnymi parametrami elektrycznymi.
2, przy użyciu kierunkowego instrumentu rentgenowskiego do precyzyjnej orientacji, odchylenie orientacji kryształu wynosi tylko ± 0,5 °
3, wafel jest polerowany za pomocą technologii chemicznego polerowania mechanicznego (CMP), chropowatość powierzchni <0,5 nm
4, aby spełnić wymagania „otwartego pudełka gotowego do użycia”
5, zgodnie z wymaganiami użytkownika, specjalne specyfikacje przetwarzania produktu