 |
Urządzenie laserowe Si Doped Undoped Wafel z azotku galu
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | Chiny |
| Nazwa handlowa: | zmkj |
| Numer modelu: | GaN-FS-SIN-D-C50-SSP 2 cale |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 1 szt |
|---|---|
| Cena: | 1000~2500usd/pc |
| Szczegóły pakowania: | pojedyncze opakowanie waflowe w opakowaniu próżniowym |
| Czas dostawy: | 1-5 tygodni |
| Zasady płatności: | T / T, Western Union |
| Możliwość Supply: | 50 sztuk na miesiąc |
|
Szczegóły informacji |
|||
| Materiał: | Pojedynczy kryształ GaN | rozmiar: | 2 cale |
|---|---|---|---|
| grubość: | 0,35 mm | rodzaj: | Typ N/niedomieszkowany (domieszkowany) |
| Podanie: | Laserowy wyświetlacz projekcyjny, urządzenie zasilające | Wzrost: | HVPE |
| Podkreślić: | urządzenie laserowe wafel z azotku galu,niedomieszkowany wafel z azotku galu,niedomieszkowany wafel Gan |
||
opis produktu
2-calowy szablon podłoża GaN, wafel GaN do diod LED, półprzewodnikowy wafel azotku galu do ld, szablon GaN, mocvd GaN wafel, wolnostojące podłoża GaN o niestandardowym rozmiarze, mały wafel GaN do diod LED, mocvd wafel azotku galu 10x10mm, 5x5mm, wafel, niepolarne, wolnostojące podłoża GaN (a-plane i m-plane)
Charakterystyka wafla GaN
- III-Azotek(GaN,AlN,InN)
Azotek galu jest jednym z rodzajów półprzewodników złożonych z szeroką przerwą.Substrat z azotku galu (GaN) to
wysokiej jakości podłoże monokrystaliczne.Wykonany jest przy użyciu oryginalnej metody HVPE i technologii przetwarzania wafli, która została pierwotnie opracowana w Chinach od ponad 10 lat.Cechy to wysoka krystalizacja, dobra jednorodność i doskonała jakość powierzchni.Podłoża GaN są używane do wielu rodzajów zastosowań, do białych diod LED i LD (fioletowych, niebieskich i zielonych).
Zabronione szerokości pasma (emisji i pochłaniania światła) obejmują ultrafiolet, światło widzialne i podczerwień.
Aplikacje
GaN może być stosowany w wielu obszarach, takich jak wyświetlacz LED, wykrywanie wysokiej energii i obrazowanie,
Laserowy wyświetlacz projekcyjny, urządzenie zasilające itp.
- Urządzenia mikrofalowe wysokiej częstotliwości Wykrywanie wysokiej energii i wyobraź sobie
- Nowa technologia wodorowa solu energii Wykrywanie środowiska i medycyna biologiczna
- Pasmo terahercowe źródła światła
- Laserowy wyświetlacz projekcyjny, urządzenie zasilające itp. Przechowywanie daty
- Energooszczędne oświetlenie Kolorowy wyświetlacz fla
- Projekcje laserowe Wysokowydajne urządzenia elektroniczne
Specyfikacja 2-calowych wolnostojących podłoży GaN
Nasza wizja przedsiębiorstwa fabryki
w naszej fabryce dostarczymy wysokiej jakości podłoże GaN i technologię aplikacji dla przemysłu.
Wysokiej jakości materiał GaN jest czynnikiem ograniczającym zastosowanie azotków III, np. długa żywotność
i wysokiej stabilności LD, wysokiej mocy i wysokiej niezawodności urządzeń mikrofalowych, wysokiej jasności
oraz wysokowydajna, energooszczędna dioda LED.
-Najczęściej zadawane pytania –
P: Co możesz dostarczyć logistykę i koszty?
(1) akceptujemy DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF itp.
(2) Jeśli masz własny numer ekspresowy, to świetnie.
Jeśli nie, możemy pomóc w dostarczeniu.Fracht = 25,0 USD (pierwsza waga) + 12,0 USD / kg
P: Jaki jest czas dostawy?
(1) W przypadku standardowych produktów, takich jak 2-calowy wafel 0,33 mm.
W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych od zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 lub 4 tygodnie robocze po zamówieniu.
P: Jak zapłacić?
100％T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Bezpieczna płatność i gwarancja handlowa.
P: Jakie jest MOQ?
(1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 1 szt.
(2) W przypadku produktów niestandardowych MOQ wynosi 5 sztuk-10 sztuk.
To zależy od ilości i techniki.
P: Czy masz raport z inspekcji materiału?
Możemy dostarczyć raport ROHS i raporty o zasięgu dla naszych produktów.
Pakiet