Wafer SOI Wafer krzemowy na izolatorze Wafer 4 cali 5 cali 6 cali 8 cali 100 111 P Typ N Typ
Szczegóły Produktu:
Place of Origin: | China |
Nazwa handlowa: | ZMSH |
Model Number: | SOI Wafe |
Szczegóły informacji |
|||
Warstwa uchwytu Soi: | Skontaktuj się z nami | podłoże: | WAFEL SOI |
---|---|---|---|
TTV: | <10um | Grubość warstwy GaN: | 1-10 mikrometrów |
polski: | Polerowanie dwustronne/jednostronne | Orientacja: | <100> |
Podkreślić: | 8-calowa płytka SOI,6-calowa płytka SOI,5-calowa płytka SOI |
opis produktu
Wafer SOI Wafer krzemowy na izolatorze Wafer 4 cali 5 cali 6 cali 8 cali (100) (111) P Typ N Typ
Opis płytki SOI:
płytka SOI odnosi się do cienkiej warstwy pojedynczego kryształu krzemu naklejonej na izolator wykonany z dwutlenku krzemu lub szkła (stąd nazwa "krzem na wyściółce izolacyjnej",często określane jako SOI)Transistory zbudowane na cienkiej warstwie SOI mogą działać szybciej i zużywać mniej energii niż te zbudowane na prostym chipie krzemowym.technologia krzemu na izolatorze (SOI) to wytwarzanie urządzeń półprzewodnikowych z krzemu w warstwnym podłożu z krzemu-izolatorem, w celu zmniejszenia pojemności pasożytniczej w urządzeniu, a tym samym poprawy wydajności.Urządzenia oparte na SOI różnią się od konwencjonalnych urządzeń zbudowanych z krzemu tym, że połączenie krzemu znajduje się nad izolatorem elektrycznymWybór izolacji zależy w dużej mierze od zamierzonego zastosowania.z szafirem stosowanym do zastosowań wysokiej częstotliwości radiowej (RF) i wrażliwych na promieniowanieW innych urządzeniach mikroelektronicznych warstwa izolacyjna i najwyższa warstwa krzemu również różnią się w zależności od zastosowania.
Charakter SOI Wafer:
- Niska pojemność pasożytnicza z powodu izolacji od silisium masowego, co poprawia zużycie energii przy dopasowanej wydajności
- Odporność na zaciskanie ze względu na całkowitą izolację struktur n- i p-dołkowych
- Wyższa wydajność przy równoważnym VDD. Może pracować przy niskich VDD [1]
- Zmniejszona zależność od temperatury z powodu braku dopingu
- Większa wydajność ze względu na wysoką gęstość, lepsze wykorzystanie płytek
- Zmniejszone problemy z anteną
- Nie potrzeba korpusów ani studni.
- Mniejsze prądy przecieków ze względu na izolację, a tym samym wyższa wydajność energetyczna
- Zasadniczo wytrzymałe na promieniowanie (odporne na błędy miękkie), zmniejszające potrzebę redundancji
Struktura produktu płytki SOI:
Średnica | 4" | 5" | 6" | 8" | |
Warstwa urządzenia | Dopant | Bor, fosfor, arsen, antymon, bezdopowany | |||
Orientacja | Wymagania dotyczące: | ||||
Rodzaj | SIMOX, BESOI, Simbond, Smart-cut | ||||
Odporność | 0.001-20000 ohm-cm | ||||
Gęstość (mm) | >1.5 | ||||
TTV | < 2um | ||||
Warstwa BOX | Gęstość (mm) | 0.2-4.0um | |||
Jednorodność | < 5% | ||||
Substrat | Orientacja | Wymagania dotyczące: | |||
Typ/Dopant | Typ P/Boron, typ N/Phos, typ N/As, typ N/Sb | ||||
Gęstość (mm) | 200-1100 | ||||
Odporność | 0.001-20000 ohm-cm | ||||
Powierzchnia ukończona | P/P, P/E | ||||
Część | <10@.00,3 mm |
Struktura płytki SOI:
Zastosowania płytki SOI:
Nasze niestandardowe rozwiązania SoL są stosowane w następujących dziedzinach:
- Zaawansowane czujniki ciśnienia
- Akcelerometry
- Gyroskopy
- Mikrofluidyki/czujniki przepływu
- RF MEMS
- MEMS/optyczne MEMS
- Optoelektronika
- Inteligentne pomiary
- Zaawansowane układy integracyjne analogowe
- Mikrofony
- Szlachetne zegarki ręczne
Rynki końcowe:
- Działania telekomunikacyjne
- Medyczne
- Produkcja samochodowa
- Konsument
- Urządzenia
Obraz zastosowania płytki SOI:
Opakowanie i wysyłka:
Częste pytania:
1P: Jaka jest stała dielektryczna krzemu w izolacjach?
Odpowiedź: Stała dielektryczna dla powszechnie stosowanych materiałów krzemowych jest następująca: Dwutlenek krzemu (SiO2) - stała dielektryczna = 3.9Nitrid krzemu (SiNx) - stała dielektryczna = 7.5. Czyste krzemo (Si) - stała dielektryczna = 11.7
2.P: Jakie są zalety płytek SOI?
Odpowiedź: płytki SOI mają większą odporność na promieniowanie, co czyni je mniej podatnymi na błędy miękkie.Dodatkowe zalety płytek SOI obejmują zmniejszoną zależność od temperatury i mniejsze problemy z anteną.
Zalecenie produktu:
2. N-typ SiC On Si złożone płytki