12-calowa płytka z węglika krzemu (SiC) – Wprowadzenie do produktu

Przegląd produktu

12-calowa płytka z węglika krzemu (SiC) reprezentuje nową generację podłoży półprzewodnikowych o szerokim paśmie wzbronionym, zaprojektowanych do obsługi produkcji na dużą skalę wysokowydajnych urządzeń energoelektronicznych. W porównaniu z konwencjonalnymi 6- i 8-calowymi płytkami SiC, format 12-calowy znacznie zwiększa użyteczną powierzchnię chipa na płytkę, poprawia wydajność produkcji i oferuje duży potencjał długoterminowej redukcji kosztów.

Węglik krzemu jest materiałem półprzewodnikowym o szerokim paśmie wzbronionym, charakteryzującym się wysoką wytrzymałością na przebicie pola elektrycznego, doskonałą przewodnością cieplną, dużą prędkością dryfu elektronów nasyconych i wyjątkową stabilnością termiczną. Te właściwości sprawiają, że 12-calowe płytki SiC są idealną platformą dla zastosowań wysokiego napięcia, dużej mocy i wysokiej temperatury.

Specyfikacje materiałowe i kryształowe

• Materiał: Monokrystaliczny węglik krzemu (SiC)

• Polimorfizm: 4H-SiC (standard dla urządzeń mocy)

• Typ przewodnictwa:

  • Typ N (domieszkowany azotem)

  • Półizolacyjny (konfigurowalny)

Wzrost 12-calowych monokryształów SiC wymaga zaawansowanej kontroli gradientów temperatury, rozkładu naprężeń i wbudowywania zanieczyszczeń. Ulepszona technologia wzrostu kryształów PVT (Physical Vapor Transport) jest zwykle stosowana do uzyskania dużych średnic, niskich defektów bouli SiC.

Proces produkcyjny

Produkcja 12-calowych płytek SiC obejmuje szereg precyzyjnych procesów:

1. Wzrost monokryształów o dużej średnicy

2. Orientacja kryształów i cięcie wlewków

3. Precyzyjne szlifowanie i ścieńczanie płytek

4. Polerowanie jednostronne lub dwustronne

5. Zaawansowane czyszczenie i kompleksowa kontrola

Każdy krok jest ściśle kontrolowany, aby zapewnić doskonałą płaskość, jednolitość grubości i jakość powierzchni.

Kluczowe zalety

• Wyższa wydajność urządzeń na płytkę: Większy rozmiar płytki umożliwia więcej chipów na serię

• Ulepszona wydajność produkcji: Zoptymalizowany dla fabryk nowej generacji

• Potencjał redukcji kosztów: Niższy koszt na urządzenie w produkcji wielkoseryjnej

• Doskonała wydajność termiczna i elektryczna: Idealny do trudnych warunków pracy

• Silna kompatybilność procesowa: Odpowiedni do produkcji urządzeń mocy SiC

Typowe zastosowania

• Pojazdy elektryczne (SiC MOSFET, diody SiC Schottky'ego)

• Ładowarki pokładowe (OBC) i falowniki trakcyjne

• Infrastruktura szybkiego ładowania i moduły zasilania

• Falowniki słoneczne i systemy magazynowania energii

• Przemysłowe napędy silnikowe i systemy kolejowe

• Zaawansowana elektronika mocy i zastosowania obronne

Typowe specyfikacje (konfigurowalne)

Często zadawane pytania (FAQ)

P1: Czy 12-calowe płytki SiC są gotowe do masowej produkcji?
Odp.: 12-calowe płytki SiC są obecnie na wczesnym etapie industrializacji i są aktywnie oceniane pod kątem produkcji pilotażowej i wolumenowej przez wiodących producentów na całym świecie.

P2: Jakie są zalety 12-calowych płytek SiC w porównaniu z 8-calowymi płytkami?
Odp.: Format 12-calowy znacznie zwiększa wydajność chipów na płytkę, poprawia przepustowość fabryki i oferuje długoterminowe korzyści kosztowe.

P3: Czy specyfikacje płytek można dostosować?
Odp.: Tak, parametry takie jak typ przewodnictwa, grubość, metoda polerowania i klasa kontroli mogą być dostosowane.