2-calowe 4-calowe wafelki z węglika krzemu 6H-N / 4H-N Atrapy kryształowe wafle SiC do testowania urządzenia
Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: | CHINY |
Nazwa handlowa: | ZMKJ |
Numer modelu: | 2 cale * 0,625 mm |
Zapłata:
Minimalne zamówienie: | 10SZT. |
---|---|
Cena: | by case |
Szczegóły pakowania: | pojedynczy pakiet waflowy w 100-pokojowym pomieszczeniu do sprzątania |
Czas dostawy: | 2-4 tygodnie |
Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
Możliwość Supply: | 1-50 sztuk / miesiąc |
Szczegóły informacji |
|||
Materiał: | Monokryształ SiC typu 4H-N | Gatunek: | Manekin / badania / klasa produkcji |
---|---|---|---|
Pogrubienie: | 0,625 mm | Suraface: | jak cięcie |
Aplikacja: | polski test urządzenia | Średnica: | 50,8 mm |
High Light: | podłoże z węglika krzemu,wafel sic |
opis produktu
Dostosowany rozmiar/10x10x0.5mmt/2 cale/3 cale/4 cale/6 cale 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC wlewki/Wysokiej czystości 4H-N 4 cale 6 cali średnicy 150mm monokrystaliczne (sic) płytki z węglika krzemu (sic)S / Dostosowane as-cut wafle sic
O węgliku krzemu (SiC)Crystal
Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, to półprzewodnik zawierający krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest stosowany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach lub obu. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do uprawy urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysokich diody LED mocy.
WŁAŚCIWOŚCI MATERIAŁU WĘGLIKA KRZEMU
Nieruchomość |
4H-SiC, pojedynczy kryształ |
6H-SiC, pojedynczy kryształ |
Parametry sieci |
a=3,076 Å c=10,053 Å |
a=3,073 Å c=15,117 Å |
Sekwencja układania |
ABCB |
ABCACB |
Twardość Mohsa |
9,2 |
9,2 |
Gęstość |
3.21g/cm3 |
3.21g/cm3 |
Therm.Współczynnik rozszerzalności |
4-5×10-6/K |
4-5×10-6/K |
Indeks załamania @750nm |
no= 2,61 nmi= 2,66 |
no= 2,60 nmi= 2,65 |
Stała dielektryczna |
c ~ 9,66 |
c ~ 9,66 |
Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm) |
~ 4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K |
|
Przewodność cieplna (półizolacyjna) |
a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K |
a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K |
Przerwa pasmowa |
3,23 eV |
3,02 eV |
Awaria pola elektrycznego |
3-5×106V/cm |
3-5×106V/cm |
Prędkość dryfu nasycenia |
2,0×105SM |
2,0×105SM |
Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 2 cali
Gatunek |
Klasa produkcyjna |
Stopień naukowy |
Klasa manekina |
|
Średnica |
50,8 mm ± 0,38 mm |
|||
Grubość |
330 μm ± 25 μm lub dostosowane |
|||
Orientacja opłatka |
Na osi : <0001>±0,5° dla 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI Poza osią : 4,0° w kierunku 1120 ±0,5° dla 4H-N/4H-SI |
|||
Gęstość mikrorur |
≤5 cm-2 |
≤15 cm-2 |
≤50 cm-2 |
|
Oporność |
4H-N |
0,015~0,028 Ω·cm |
||
6H-N |
0,02~0,1 Ω·cm |
|||
4/6H-SI |
> 1E5 Ω·cm |
(90%) >1E5 Ω·cm |
||
Mieszkanie podstawowe |
{10-10}±5,0° |
|||
Podstawowa długość płaska |
15,9 mm±1,7 mm |
|||
Druga płaska długość |
8,0 mm±1,7 mm |
|||
Drugorzędna orientacja płaska |
Krzem do góry: 90° CW.od Prime flat ±5,0° |
|||
Wykluczenie krawędzi |
1 mm |
|||
TTV/Łuk/Wypaczenie |
≤15μm /≤25μm /≤25μm |
|||
Chropowatość |
Polski Ra≤1 nm |
|||
CMP Ra≤0,5 nm |
||||
|
Nic |
Nic |
1 dozwolony, ≤1 mm |
|
Sześciokątne płytki o wysokiej intensywności światła |
Łączny obszar ≤ 1% |
Łączny obszar ≤ 1% |
Powierzchnia skumulowana ≤ 3 % |
|
|
Nic |
Powierzchnia skumulowana ≤ 2% |
Powierzchnia skumulowana ≤ 5% |
|
|
3 rysy do 1לrednica wafla o łącznej długości |
5 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości |
8 zadrapań do 1לrednica wafla o łącznej długości |
|
Chip krawędzi |
Nic |
3 dozwolone, ≤0,5 mm każdy |
5 dozwolonych, każdy ≤1 mm |
|
Wafel / wlewki SiC typu 4H-N / o wysokiej czystości
2-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC
3-calowy wafel SiC 4H N-Type 4-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC 6-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC |
2-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
3-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 4-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 6-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H |
Wafel SiC 6H N-Type
2-calowy wafel / wlewek SiC 6H N-Type |
Dostosowany rozmiar dla 2-6 cali
|
O firmie ZMKJ
ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości monokryształowy wafel SiC ( Silicon Carbide ) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego .Wafel SiC jest materiałem półprzewodnikowym nowej generacji o wyjątkowych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych , w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs , wafel SiC jest bardziej odpowiedni do zastosowań w urządzeniach wysokotemperaturowych io dużej mocy .Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, dostępne są zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowane azotem i półizolujące.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.
Nasze produkty relacyjne
Szafirowy wafel, soczewka / kryształ LiTaO3 / wafle SiC / LaAlO3 / SrTiO3 / wafle / Ruby Ball / wafle szczelinowe
Często zadawane pytania:
P: Jaki jest sposób wysyłki oraz koszt i termin płatności?
Odp .: (1) Akceptujemy 100 % T / T z góry przez DHL, Fedex, EMS itp.
(2) jeśli masz własne konto ekspresowe, to świetnie. Jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać.
Fracht zgodny z faktycznym rozliczeniem.
P: Jakie jest twoje MOQ?
Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 2 sztuki.
(2) W przypadku produktów niestandardowych MOQ wynosi 10 sztuk.
P: Czy mogę dostosować produkty do moich potrzeb?
Odp .: Tak, możemy dostosować materiał, specyfikacje i kształt, rozmiar w zależności od Twoich potrzeb.
P: Jaki jest czas dostawy?
Odp .: (1) W przypadku produktów standardowych
W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.
W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 lub 3 tygodnie po złożeniu zamówienia.
(2) W przypadku produktów o specjalnym kształcie dostawa wynosi 4 tygodnie robocze po złożeniu zamówienia.