• 6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS
  • 6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS
  • 6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS
6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS

6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS

Szczegóły Produktu:

Miejsce pochodzenia: CHINY
Nazwa handlowa: ZMKJ
Numer modelu: 6-calowe wafle 4h-n sic

Zapłata:

Minimalne zamówienie: 5 sztuk
Cena: by case
Szczegóły pakowania: pojedyncze opakowanie waflowe w 100-stopniowym pomieszczeniu czyszczącym
Czas dostawy: 1-6 tygodni
Zasady płatności: T/T, Western Union, MoneyGram
Możliwość Supply: 1-50 sztuk / miesiąc
Najlepsza cena Kontakt

Szczegóły informacji

Materiał: Monokryształ SiC 4h-N Gatunek: Klasa produkcji
Pogrubienie: 0,4 mm Suraface: docierany
Aplikacja: do testu z języka polskiego Średnica: 6 CALI
Kolor: Zielony MPD: <2cm-2
High Light:

Wafle epitaksjalne typu 4H-N

,

6-calowe wafle epitaksjalne

,

wafel epitaksjalny typu 4H-N

opis produktu

 

4h-n 4 cale 6 cali dia100mm sic wafelek siewny o grubości 1mm do wzrostu wlewków

Dostosowany rozmiar/2 cale/3 cale/4 cale/6 cale 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC wlewki/Wysokiej czystości 4H-N 4 cale 6 cali średnicy 150mm monokrystaliczne (sic) płytki z węglika krzemu (sic)S / Dostosowane as-cut wafle sicProdukcja 4-calowych wafli SIC 4H-N 1,5 mm do kryształu siewnego

6-calowy wafel SIC 4H-N Typ produkcyjny sic epitaksjalne wafle warstwa GaN na sic

 

O węgliku krzemu (SiC)Crystal

Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, to półprzewodnik zawierający krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest stosowany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach lub obu. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do uprawy urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysokich diody LED mocy.

 

1. Opis
Nieruchomość 4H-SiC, pojedynczy kryształ 6H-SiC, pojedynczy kryształ
Parametry sieci a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å
Sekwencja układania ABCB ABCACB
Twardość Mohsa ≈9.2 ≈9.2
Gęstość 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3
Therm.Współczynnik rozszerzalności 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K
Indeks załamania @750nm

nie = 2,61
ne = 2,66

nie = 2,60
ne = 2,65

Stała dielektryczna c ~ 9,66 c ~ 9,66
Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm)

a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

 
Przewodność cieplna (półizolacyjna)

a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

Przerwa pasmowa 3,23 eV 3,02 eV
Awaria pola elektrycznego 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm
Prędkość dryfu nasycenia 2,0×105m/s 2,0×105m/s

Zastosowania SiC

Obszary zastosowań

  • 1 urządzenia elektroniczne wysokiej częstotliwości i dużej mocy Diody Schottky'ego, JFET, BJT, PiN,
  • diody, IGBT, MOSFET
  • 2 urządzenia optoelektroniczne: stosowane głównie w niebieskim materiale podłoża GaN / SiC LED (GaN / SiC) LED

4 inch n-doped 4H Silicon Carbide SiC Wafer

4H-N Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o średnicy 4 cali

Specyfikacje 6-calowych podłoży SiC typu N
Nieruchomość Klasa P-MOS Klasa P-SBD Klasa D  
Specyfikacje kryształów  
Forma Kryształu 4H  
Obszar politypu Brak Dozwolone Powierzchnia≤5%  
(MPD)a ≤0,2 /cm2 ≤0,5 /cm2 ≤5 /cm2  
Sześciokątne płyty Brak Dozwolone Powierzchnia≤5%  
Heksagonalny polikryształ Brak Dozwolone  
Inkluzjea Powierzchnia≤0,05% Powierzchnia≤0,05% Nie dotyczy  
Oporność 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,015Ω•cm—0,025Ω•cm 0,014Ω•cm—0,028Ω•cm  
(EPD)a ≤4000/cm2 ≤8000/cm2 Nie dotyczy  
(PRZETRZĄSAĆ)a ≤3000/cm2 ≤6000/cm2 Nie dotyczy  
(BPD)a ≤1000/cm2 ≤2000/cm2 Nie dotyczy  
(TSD)a ≤600/cm2 ≤1000/cm2 Nie dotyczy  
(Usterka układania) ≤0,5% powierzchni ≤1% obszaru Nie dotyczy  
Zanieczyszczenie powierzchni metalowych (Al, Cr, Fe, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, Mn) ≤1E11 cm-2  
Specyfikacje mechaniczne  
Średnica 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm  
Orientacja powierzchni Poza osią: 4 ° w kierunku <11-20> ± 0,5 °  
Podstawowa długość płaska 47,5 mm ± 1,5 mm  
Druga płaska długość Brak drugiego mieszkania  
Pierwotna orientacja płaska <11-20>±1°  
Drugorzędna orientacja płaska Nie dotyczy  
Dezorientacja ortogonalna ±5,0°  
Wykończenie powierzchni C-Face: optyczny polski, Si-Face: CMP  
Krawędź wafla fazowanie  
Chropowatość powierzchni
(10μm×10μm)
Si Twarz Ra≤0,20 nm (C Powierzchnia Ra≤0,50 nm)  
Grubośća 350,0 μm ± 25,0 μm  
LTV (10mm × 10mm)a ≤2μm ≤3μm  
(TTV)a ≤6μm ≤10μm  
(KOKARDA)a ≤15μm ≤25μm ≤40μm  
(Osnowa) a ≤25μm ≤40μm ≤60μm  
Specyfikacje powierzchni  
Żetony/wcięcia Brak Dozwolone ≥ 0,5 mm szerokości i głębokości Ilość 2 ≤1,0 mm Szerokość i głębokość  
Zadrapaniaa
(Si twarzy, CS8520)
≤5 i skumulowana długość ≤0,5 × średnica wafla ≤5 i skumulowana długość ≤1,5 ​​× średnica wafla  
TUA (2mm * 2mm) ≥98% ≥95% Nie dotyczy  
Pęknięcia Brak Dozwolone  
Zanieczyszczenie Brak Dozwolone  
Wykluczenie krawędzi 3mm  
         

6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS 16 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS 26 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS 3

 
KATALOG WSPÓLNY ROZMIARW NASZEJ LIŚCIE INWENTARYZACYJNEJ  
 

 

Wafel / wlewki SiC typu 4H-N / o wysokiej czystości
2-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC
3-calowy wafel SiC 4H N-Type
4-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC
6-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC

4H półizolujące / wysoka czystośćWafel SiC

2-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
3-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
4-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
6-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
 
 
Wafel SiC 6H N-Type
2-calowy wafel / wlewek SiC 6H N-Type
 
Dostosowany rozmiar dla 2-6 cali
 

>Opakowania – Logistyka

dotyczy to każdego szczegółu opakowania, czyszczenia, antystatyki, obróbki szokowej.

W zależności od ilości i kształtu produktu podejmiemy inny proces pakowania!Prawie przez pojedyncze kasety waflowe lub kasetę 25szt w pomieszczeniu czyszczącym klasy 100.

 

Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie
Jestem zainteresowany 6 cali dia150mm SIC Wafel 4H-N Typ Sic podłoże do urządzenia MOS czy mógłbyś przesłać mi więcej informacji, takich jak rodzaj, rozmiar, ilość, materiał itp.
Dzięki!
Czekam na Twoją odpowiedź.