szczegółowe informacje o produktach

Dom produkty

Płytka z węglika krzemu

8-calowe 200 mm N Typ Wafelek z węglika krzemu Kryształowe wlewki SiC Substrate

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

8-calowe 200 mm N Typ Wafelek z węglika krzemu Kryształowe wlewki SiC Substrate

Nazwa marki:	ZMKJ
Numer modelu:	4h-n
MOQ:	1 szt.
Cena £:	by case
Szczegóły opakowania:	pojedyncze opakowanie waflowe w 100-stopniowym pomieszczeniu czyszczącym
Warunki płatności:	T/T, Western Union, MoneyGram

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Materiał:

SiC monokryształ typu 4H-N

gatunek:

Manekin/badania/produkcja

Pogrubienie:

0,5 MM/10-15 mm

Suraface:

Błyszczący

Aplikacja:

test łożyska

Średnica:

8 cali

Kolor:

Zielony

Możliwość Supply:

1-50 sztuk / miesiąc

Podkreślić:

8-calowe wafle SiC 200 mm

wlewki SiC Substrate

wafel z węglika krzemu typu N

Opis produktu

Dwustronnie polski wafel z węglika krzemu 2-8 '' 4H N - Domieszkowane wafle SiC / 8 cali 200 mm Wafle kryształowe SiC typu N wlewki Podłoże SiC/2 cale/3 cale/4 cale/6 cale/8 cale 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC wlewki/Wysokiej czystości 4H-N 4 cale 6 cali średnicy 150 mm monokrystaliczne (sic) płytki z węglika krzemu (sic)

O węgliku krzemu (SiC)Crystal

Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, to półprzewodnik zawierający krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest stosowany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach lub obu. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do uprawy urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysokich diody LED mocy.

Opis wafla SIC

4-calowa przewodząca specyfikacja wafla SiC
Produkt	4H-SiC
Gatunek	Klasa I	Klasa II	Klasa III
obszary polikrystaliczne	Brak dozwolonych	Brak dozwolonych	<5%
obszary politypowe	Brak dozwolonych	≤20%	20% ~ 50%
Gęstość mikrorur)	< 5 mikrorurek/cm-2	< 30 mikrorurek/cm-2	<100 mikrorurek/cm-2
Całkowita powierzchnia użytkowa	>95%	>80%	Nie dotyczy
Średnica	100,0 mm +0/-0,5 mm
Grubość	500 μm ± 25 μm lub specyfikacja klienta
Domieszka	n typ: azot
Pierwotna orientacja płaska)	Prostopadle do <11-20> ± 5,0°
Podstawowa długość płaska	32,5 mm ± 2,0 mm
Drugorzędna orientacja płaska)	90° CW od pierwotnego płaskiego ± 5,0°
Druga płaska długość)	18,0 mm ± 2,0 mm
Na osi Wafer Orientacja)	0001} ± 0,25°
Orientacja wafla poza osią	4,0° w kierunku <11-20> ± 0,5° lub specyfikacja klienta
TTV/ŁUK/Wypaczenie	<5μm/<10μm/<20μm
Oporność	0,01~0,03 Ω×cm
Wykończenie powierzchni	C Face polish.Si Face CMP (Si face: Rq <0.15 nm) lub specyfikacja klienta			Dwustronne polerowanie

KATALOG WSPÓLNY ROZMIAR

Wafel / wlewki SiC typu 4H-N / o wysokiej czystości 2-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC 3-calowy wafel SiC 4H N-Type 4-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC 6-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC 8 cali 4H typu N	4H półizolujące / wysoka czystośćWafel SiC 2-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 3-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 4-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 6-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 8-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H

Zastosowania SiC

Obszary zastosowań

1: Urządzenia elektroniczne wysokiej częstotliwości i dużej mocy Diody Schottky'ego, JFET, BJT, PiN, diody, IGBT, MOSFET

2: Urządzenia optoelektroniczne: stosowane głównie w materiale podłoża z niebieskiej diody LED GaN / SiC (GaN / SiC) LED

Często zadawane pytania:

P: Jaki jest sposób wysyłki i koszt?

Odp .: (1) Akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.

(2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i!

Fracht zgodny z faktycznym rozliczeniem.

P: Jak zapłacić?

Odp .: T / T 100% depozytu przed dostawą.

P: Jakie jest twoje MOQ?

Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ wynosi 1 szt.jeśli 2-5 sztuk, to lepiej.

(2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk.

P: Jaki jest czas dostawy?

Odp .: (1) W przypadku produktów standardowych

W przypadku zapasów: dostawa wynosi 5 dni roboczych po złożeniu zamówienia.

W przypadku produktów niestandardowych: dostawa wynosi 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontaktu.

P: Czy masz standardowe produkty?

O: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.

Tagi:

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

szczegółowe informacje o produktach

8-calowe 200 mm N Typ Wafelek z węglika krzemu Kryształowe wlewki SiC Substrate

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

8-calowe 200 mm N Typ Wafelek z węglika krzemu Kryształowe wlewki SiC Substrate

8-calowe wafle SiC 200 mm

wlewki SiC Substrate

wafel z węglika krzemu typu N

O węgliku krzemu (SiC)Crystal