logo
Dobra cena  W Internecie

szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Dom Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Płytka z węglika krzemu
Created with Pixso.

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate

Nazwa marki: ZMSH
Numer modelu: 4 cali płytki SiC
MOQ: 10 sztuk
Szczegóły opakowania: Wspólny pakiet
Warunki płatności: T/T
Szczegółowe informacje
Miejsce pochodzenia:
Chiny
Orzecznictwo:
RoHS
Typ:
4h-n
Stopień:
Atrapa / badawcza / produkcyjna
Grubość:
350 μm±25 μm
Osnowa:
≤40 μm
Chropowatość:
Ra≤1 nm
Średnica:
4 cale, 99,5 mm ~ 100,0 mm
Opis produktu
4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate 4inch 4H-N Type Sic Wafers 350um Thickness SiC Substrate What are Silicon Carbide (SiC) Wafers & Substrates? Silicon Carbide (SiC) wafers and substrates are specialized materials used in semiconductor technology made from silicon carbide, a compound known for its high thermal conductivity, excellent mechanical strength, and wide bandgap. Exceptionally hard and lightweight, SiC wafers and substrates provide a robust