Dom

O nas

profil firmy

Wycieczka po fabryce

Kontrola jakości

produkty

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

rozwiązania

blog

Skontaktuj się z nami

zacytować

Dobra cena w Internecie

produkty

Dom produkty Płytka z węglika krzemu Produkty w Internecie

Wszystkie kategorie

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Płytka z węglika krzemu

Dobra cena Kryształy nasion SiC, szczególnie te o średnicy 153, 155, 205, 203 i 208 mm w Internecie

Kryształy nasion SiC, szczególnie te o średnicy 153, 155, 205, 203 i 208 mm

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena Wysokiej czystości półizolacyjny proszek SiC HPSI/99,9999% w Internecie

Wysokiej czystości półizolacyjny proszek SiC HPSI/99,9999%

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 6-calowy przewodzący jednokrystaliczny SIC na polikrystalowym SIC złożonym podłożu w Internecie

6-calowy przewodzący jednokrystaliczny SIC na polikrystalowym SIC złożonym podłożu

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena Wafer SiC 12-calowy 300 mm Grubość 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade For Semiconductor w Internecie

Wafer SiC 12-calowy 300 mm Grubość 1000±50um 750±25um Prime Dummy Reaserch Grade For Semiconductor

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 4h-N 100um Silikonkarbid Powór ścierający do wzrostu kryształów SIC w Internecie

4h-N 100um Silikonkarbid Powór ścierający do wzrostu kryształów SIC

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 12-calowa płytka SiC, płytka węglowodorkowa krzemowa, 300 mm, podłoże 750±25um, typ 4H-N, orientacja 100 w Internecie

12-calowa płytka SiC, płytka węglowodorkowa krzemowa, 300 mm, podłoże 750±25um, typ 4H-N, orientacja 100

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 4H N typu Półtypu Wafer SiC 6c 12c Wafer SiC Substrat SiC ((0001) Podwójna Strona Polerowana Ra≤1 nm Dostosowanie w Internecie

4H N typu Półtypu Wafer SiC 6c 12c Wafer SiC Substrat SiC ((0001) Podwójna Strona Polerowana Ra≤1 nm Dostosowanie

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena Wafer SiC 4c 12c 4H N typ Półtyp Produkcja klasy badawczej Klasy dummy DSP personalizacja w Internecie

Wafer SiC 4c 12c 4H N typ Półtyp Produkcja klasy badawczej Klasy dummy DSP personalizacja

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 8 cali 12 cali 4H-N grubość płytki SiC 500±25um 1000±50 N w Internecie

8 cali 12 cali 4H-N grubość płytki SiC 500±25um 1000±50 N

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena Płytki SiC 2/3/4/6/8 /12 Inch 4H-N Typ Z/P/D/R w Internecie

Płytki SiC 2/3/4/6/8 /12 Inch 4H-N Typ Z/P/D/R

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 12-calowa płytka SiC 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC Substraty Silicon Carbide Wafer w Internecie

12-calowa płytka SiC 4H-N Dummy Research DSP SSP SiC Substraty Silicon Carbide Wafer

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena 8-calowa płytka 4H-N SiC grubość 500±25μm lub niestandardowa N-doped dummy Production Research Grade w Internecie

8-calowa płytka 4H-N SiC grubość 500±25μm lub niestandardowa N-doped dummy Production Research Grade

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena Wysokiej jakości płytki SiC 2/3/4/6/8 cali 4H-N Typ Z/P/D/R w Internecie

Wysokiej jakości płytki SiC 2/3/4/6/8 cali 4H-N Typ Z/P/D/R

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena SiC Epitaxial Wafer Silicon Carbide 4H 4inch 6inch wysokiej odporności przemysł półprzewodników w Internecie

SiC Epitaxial Wafer Silicon Carbide 4H 4inch 6inch wysokiej odporności przemysł półprzewodników

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena SiC Substrat 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Stopień P Stopień D Stopień w Internecie

SiC Substrat 4H/6H-P 3C-N 145,5 mm~150,0 mm Z Stopień P Stopień D Stopień

Uzyskaj najlepszą cenę

Dobra cena Polerowany DSP 2 cale 3 cale 4 cale 0,35 mm 4h-pół SiC wafel z węglika krzemu w Internecie

Polerowany DSP 2 cale 3 cale 4 cale 0,35 mm 4h-pół SiC wafel z węglika krzemu

Uzyskaj najlepszą cenę

1 2 3 4 5 6 7