szczegółowe informacje o produktach

Dom produkty

Płytka z węglika krzemu

2 3 4 6 cali Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingots Industrial

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

2 3 4 6 cali Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingots Industrial

Nazwa marki:	ZMKJ
Numer modelu:	2-calowe wlewki sic
MOQ:	1SZT
Cena £:	by case
Szczegóły opakowania:	pojedynczy pakiet waflowy w 100-pokojowym pomieszczeniu do sprzątania
Warunki płatności:	T/T, Western Union, MoneyGram

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

CHINY

Materiał:

Monokryształ SiC typu 4H-N

Stopień:

Manekin / klasa produkcyjna

grube:

6-15mm

Powierzchnia:

LP / po przycięciu

Aplikacja:

test polerowania producenta urządzenia

Średnica:

50,8 ± 0,3 mm

Możliwość Supply:

1-50 sztuk / miesiąc

Podkreślić:

podłoże z węglika krzemu

wafel sic

Opis produktu

2-calowe/3-calowe/4-calowe/6-calowe wlewki 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N SIC/wysokiej czystości 4H-N 4-calowe 6-calowe dia 150 mm pojedyncze kryształy węglika krzemu (sic) wafle, wlewki kryształowe sicsic podłoża półprzewodnikowe,Wafel kryształowy z węglika krzemu / Niestandardowe wafle sic cięte

Informacje o krysztale węglika krzemu (SiC).

Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, jest półprzewodnikiem zawierającym krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest używany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do hodowli urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysoko- diody zasilania.

1. Opis

Nieruchomość	4H-SiC, pojedynczy kryształ	6H-SiC, pojedynczy kryształ
Parametry kraty	a=3,076 A c=10,053 A	a=3,073 A c=15,117 A
Sekwencja układania	ABCB	ABCACB
Twardość Mohsa	≈9,2	≈9,2
Gęstość	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm.Współczynnik rozszerzalności	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Indeks załamania @750nm	nie = 2,61 ne = 2,66	nie = 2,60 ne = 2,65
Stała dielektryczna	ok. 9,66	ok. 9,66
Przewodność cieplna (typ N, 0,02 ohm.cm)	a~4,2 W/cm·K przy 298 K c~3,7 W/cm·K przy 298K
Przewodność cieplna (półizolacja)	a~4,9 W/cm·K przy 298 K c ~ 3,9 W/cm·K przy 298 K	a~4,6 W/cm·K przy 298 K c ~ 3,2 W/cm·K przy 298 K
Przerwa wzbroniona	3,23 eV	3,02 eV
Załamanie pola elektrycznego	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Prędkość dryfu nasycenia	2,0 × 105 m/s	2,0 × 105 m/s

2 3 4 6 cali Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingots Industrial 0

Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o wysokiej czystości i średnicy 4 cali

2 3 4 6 cali Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingots Industrial 1

Informacje o zastosowaniach podłoży SiC

KATALOG WSPÓLNY ROZMIAR

Typ 4H-N / płytka / wlewki SiC o wysokiej czystości 2-calowe płytki/wlewki SiC 4H typu N 3-calowy wafel SiC 4H typu N 4-calowe płytki / wlewki SiC 4H typu N 6-calowy wafel / wlewki SiC 4H typu N	4H Półizolacja / Wysoka czystośćpłytka SiC 2-calowy półizolujący wafel SiC 4H 3-calowy półizolujący wafel SiC 4H 4-calowy półizolujący wafel SiC 4H 6-calowy półizolujący wafel SiC 4H
Płytka SiC 6H typu N 2-calowy wafel / wlewek SiC 6H typu N	Niestandardowy rozmiar dla 2-6 cali

O firmie ZMKJ

ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości płytki monokrystaliczne SiC (węglik krzemu) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego.Płytka SiC to materiał półprzewodnikowy nowej generacji, o unikalnych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych, w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs, płytka SiC jest bardziej odpowiednia do zastosowań w urządzeniach o wysokiej temperaturze i dużej mocy.Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowany azotem i półizolacyjny.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.

Często zadawane pytania:

P: jaki jest sposób wysyłki i koszt?

Odp.: (1) akceptujemy DHL, Fedex, EMS itp.

(2) jest w porządku, jeśli masz własne konto ekspresowe, jeśli nie, możemy pomóc ci je wysłać i

Fracht to jaN zgodnie z faktycznym rozliczeniem.

P: jak zapłacić?

Odp .: T / T 100% depozytu przed dostawą.

P: Jakie jest twoje MOQ?

Odp .: (1) W przypadku zapasów MOQ to 1 szt.jeśli 2-5 sztuk to lepiej.

(2) W przypadku niestandardowych produktów commen MOQ wynosi 10 sztuk w górę.

P: Jaki jest czas dostawy?

A: (1) Dla produktów standardowych

W przypadku zapasów: czas dostawy wynosi 5 dni roboczych od złożenia zamówienia.

W przypadku produktów niestandardowych: dostawa 2 -4 tygodnie po zamówieniu kontakt.

P: Czy masz standardowe produkty?

Odp .: Nasze standardowe produkty w magazynie.jak podłoża 4 cale 0,35 mm.

Tagi:

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

szczegółowe informacje o produktach

2 3 4 6 cali Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingots Industrial

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Opłatek azotku galu

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

2 3 4 6 cali Sic Wafer, Silicon Wafer 4H-N / Semi Type SiC Ingots Industrial

podłoże z węglika krzemu

wafel sic

Informacje o krysztale węglika krzemu (SiC).