 |
Dwustronnie płytki waflowe z węglika krzemu 2-6 '' 4H N - domieszkowane płytki SiC
Szczegóły Produktu:
| Miejsce pochodzenia: | CHINY |
| Nazwa handlowa: | ZMKJ |
| Numer modelu: | niestandardowy rozmiar |
Zapłata:
| Minimalne zamówienie: | 1SZT |
|---|---|
| Cena: | 600-1500usd/pcs by FOB |
| Szczegóły pakowania: | pojedynczy pakiet waflowy w 100-pokojowym pomieszczeniu do czyszczenia |
| Czas dostawy: | 1-6 tygodni |
| Zasady płatności: | T/T, Western Union, MoneyGram |
| Możliwość Supply: | 1-50 sztuk / miesiąc |
|
Szczegóły informacji |
|||
| materiał: | SiC pojedynczy kryształ typu 4H-N | Gatunek: | Manekin / badanie / Klasa produkcji |
|---|---|---|---|
| Thicnkss: | 4 dostosowane | Suraface: | LP / LP lub as-cut |
| aplikacji: | test polerowania ekspresu do urządzenia | Średnica: | 150 ± 0,5 mm |
| High Light: | podłoże z węglika krzemu,krzem na waflach szafirowych |
||
opis produktu
4H-N Klasa jakości płytek 6-calowych o średnicy 150 mm z pojedynczego kryształu (sic) z węglika krzemu, sic krystalicznych wlewków sic półprzewodnikowych podłoży, wafli krystalicznych z węglika krzemuO kryształach węglika krzemu (SiC)
Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, jest półprzewodnikiem zawierającym krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC. SiC jest stosowany w urządzeniach z elektroniką półprzewodnikową, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach, lub oba. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym substratem do uprawy urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysokich diody mocy
| 4- calowa specyfikacja wafla przewodzącego SiC | ||||
| Produkt | 4H-SiC | |||
| Stopień | Stopień I | Klasa II | Klasa III | |
| obszary polikrystaliczne | Nie dozwolone | Nie dozwolone | <5% | |
| obszary polityty | Nie dozwolone | ≤ 20% | 20% ~ 50% | |
| Gęstość mikroproszków ) | <5 mikropipów / cm -2 | < 30 mikropip / cm -2 | <100 mikropip / cm -2 | |
| Całkowita powierzchnia użytkowa | > 95% | > 80% | Nie dotyczy | |
| Średnica | 100,0 mm + 0 / -0,5 mm | |||
| Grubość | 500 μm ± 25 μm lub specyfikacja klienta | |||
| Domieszka | Typ n : azot | |||
| Podstawowa orientacja płaska ) | Prostopadle do <11-20> ± 5.0 ° | |||
| Podstawowa długość płaska | 32,5 mm ± 2,0 mm | |||
| Wtórna orientacja płaska ) | 90 ° CW od pierwotnego płaskiego ± 5,0 ° | |||
| Wtórna długość płaska ) | 18,0 mm ± 2,0 mm | |||
| Orientacja płytki na osi ) | {0001} ± 0,25 ° | |||
| Orientacja płytki poza osią | 4,0 ° w kierunku <11-20> ± 0,5 ° lub specyfikacja klienta | |||
| TTV / BOW / Warp | < 5μm / <10 μm / <20μm | |||
| Oporność | 0,01 ~ 0,03 Ω × cm | |||
| Wykończenie powierzchni | C Face polish.Si Face CMP (Si face: Rq < 0,15 nm) lub Specyfikacja klienta | Dwustronnie polerowany | ||
Płytka typu 4H-N / płytka SiC o wysokiej czystości 2-calowa płytka SiC typu 4H N-Type 3-calowa płytka SiC typu 4H N-Type 4-calowa płytka SiC typu 4H N-Type Płytka SiC 6-calowa 4H typu N | Płytka SiC 4H półizolująca / o wysokiej czystości 2-calowy 4H Półizolujący wafel SiC 3-calowy 4H Półizolujący wafel SiC 4-calowy 4H Półizolujący wafel SiC 6-calowa 4H Półizolująca płytka SiC |
Płytka SiC 6H typu N Płytka SiC 2-calowa 6H typu N |
Sprzedaż i obsługa klienta
Zakup materiałów
Dział zakupów materiałów jest odpowiedzialny za zebranie wszystkich surowców potrzebnych do wyprodukowania produktu. Pełna identyfikowalność wszystkich produktów i materiałów, w tym analiza chemiczna i fizyczna, jest zawsze dostępna.
Jakość
Podczas i po produkcji lub obróbce produktów, dział kontroli jakości jest zaangażowany w zapewnienie, że wszystkie materiały i tolerancje spełniają lub przekraczają specyfikację.
Usługa
Jesteśmy dumni z tego, że dysponujemy kadrą inżynierów sprzedaży z ponad 5-letnim doświadczeniem w branży półprzewodników. Są przeszkoleni, aby odpowiadać na pytania techniczne, a także udzielać aktualnych ofert dla Twoich potrzeb.
jesteśmy po twojej stronie w dowolnym momencie, kiedy masz problem, i rozwiąż go w 10 godzin.
