szczegółowe informacje o produktach

Dom produkty

Płytka z węglika krzemu

10 x 10 x 0,5 mm wafel z węglika krzemu 4H - N kryształowe chipy SiC

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Opłatek azotku galu

Skontaktuj się z nami

Mr. Wang

Eric-wang@sapphire-substrate.com

+8615801942596

Skontaktuj się teraz

Wszystkie kategorie

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

10 x 10 x 0,5 mm wafel z węglika krzemu 4H - N kryształowe chipy SiC

Nazwa marki:	ZMKJ
Numer modelu:	10x10x0,5mmt
MOQ:	5 sztuk
Cena £:	by case
Szczegóły opakowania:	pojedyncze opakowanie waflowe w 100-stopniowym pomieszczeniu czyszczącym
Warunki płatności:	T/T, Western Union, MoneyGram

Szczegółowe informacje

Opis produktu

Szczegółowe informacje

Miejsce pochodzenia:

Chiny

Materiał:

Monokryształ SiC typu 4H-N

Gatunek:

Klasa manekina / produkcja / badania

Pogrubienie:

0,5 mm

Suraface:

Błyszczący

Aplikacja:

test łożyska

Średnica:

10x10x0,5mmt

Kolor:

Herbata zielona

Możliwość Supply:

1-50 sztuk / miesiąc

Podkreślić:

Wafel z węglika krzemu 10x10x0

5mm

wióry SiC wafel z węglika krzemu

Opis produktu

Dostosowany rozmiar/10x10x0.5mmt/2 cale/3 cale/4 cale/6 cale 6H-N/4H-SEMI/4H-N SIC wlewki/Wysokiej czystości 4H-N 4 cale 6 cali średnicy 150mm monokrystaliczne (sic) płytki z węglika krzemu (sic)S / Dostosowane as-cut sic wafle SiC okna / soczewki / okulary

O węgliku krzemu (SiC)Crystal

Węglik krzemu (SiC), znany również jako karborund, to półprzewodnik zawierający krzem i węgiel o wzorze chemicznym SiC.SiC jest stosowany w półprzewodnikowych urządzeniach elektronicznych, które działają w wysokich temperaturach lub wysokich napięciach lub obu. SiC jest również jednym z ważnych komponentów LED, jest popularnym podłożem do uprawy urządzeń GaN, a także służy jako rozpraszacz ciepła w wysokich diody LED mocy.

1. Opis

Nieruchomość 4H-SiC, pojedynczy kryształ 6H-SiC, pojedynczy kryształ

Parametry sieci a=3,076 Å c=10,053 Å a=3,073 Å c=15,117 Å

Sekwencja układania ABCB ABCACB

Twardość Mohsa ≈9.2 ≈9.2

Gęstość 3,21 g/cm3 3,21 g/cm3

Therm.Współczynnik rozszerzalności 4-5×10-6/K 4-5×10-6/K

Indeks załamania @750nm
nie = 2,61
ne = 2,66

nie = 2,60
ne = 2,65

Stała dielektryczna c ~ 9,66 c ~ 9,66

Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm)
a~4,2 W/cm·K@298K
c~3,7 W/cm·K@298K

Przewodność cieplna (półizolacyjna)
a~4,9 W/cm·K@298K
c~3,9 W/cm·K@298K

a~4,6 W/cm·K@298K
c~3,2 W/cm·K@298K

Przerwa pasmowa 3,23 eV 3,02 eV

Awaria pola elektrycznego 3-5×106V/cm 3-5×106V/cm

Prędkość dryfu nasycenia 2,0×105m/s 2,0×105m/s

Specyfikacja podłoża z węglika krzemu (SiC) o wysokiej czystości o średnicy 4 cali

KATALOG WSPÓLNY ROZMIAR

Wafel / wlewki SiC typu 4H-N / o wysokiej czystości
2-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC
3-calowy wafel SiC 4H N-Type
4-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC
6-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC

4H półizolujące / wysoka czystośćWafel SiC

2-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
3-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
4-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
6-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H

Wafel SiC 6H N-Type
2-calowy wafel / wlewek SiC 6H N-Type

Dostosowany rozmiar dla 2-6 cali

O firmie ZMKJ

ZMKJ może dostarczać wysokiej jakości monokryształowy wafel SiC ( Silicon Carbide ) dla przemysłu elektronicznego i optoelektronicznego .Wafel SiC jest materiałem półprzewodnikowym nowej generacji o wyjątkowych właściwościach elektrycznych i doskonałych właściwościach termicznych , w porównaniu z płytką krzemową i płytką GaAs , wafel SiC jest bardziej odpowiedni do zastosowań w urządzeniach wysokotemperaturowych io dużej mocy .Wafel SiC może być dostarczany o średnicy 2-6 cali, dostępne są zarówno 4H, jak i 6H SiC, typu N, domieszkowane azotem i półizolujące.Skontaktuj się z nami, aby uzyskać więcej informacji o produkcie.

Nasze produkty relacyjne
Szafirowy wafel, soczewka / kryształ LiTaO3 / wafle SiC / LaAlO3 / SrTiO3 / wafle / Rubinowa kulka

Tagi:
podłoże z węglika krzemu

sic wafel

krzem na waflach szafirowych

ZAŁĄCZONE PRODUKTY

8-calowy 200 mm polerski wlewek z węglika krzemu Substrat Sic Chip Semiconductor

Uzyskaj najlepszą cenę

6H Silicon Carbide (SiC) Square Substrate Wafer for Power High-Frequency

Uzyskaj najlepszą cenę

Lustro z węglika krzemu (SiC Mirror) – Precyzyjne, lekkie komponenty optyczne

Uzyskaj najlepszą cenę

4-calowe wafle z węglika krzemu 4H-N, grubość 350um, podłoże SiC

Uzyskaj najlepszą cenę

Silicon Carbide Wafer 4inch HPSI 350um Widely Used for AR Glasses

Uzyskaj najlepszą cenę

Nieruchomość	4H-SiC, pojedynczy kryształ	6H-SiC, pojedynczy kryształ
Parametry sieci	a=3,076 Å c=10,053 Å	a=3,073 Å c=15,117 Å
Sekwencja układania	ABCB	ABCACB
Twardość Mohsa	≈9.2	≈9.2
Gęstość	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm.Współczynnik rozszerzalności	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Indeks załamania @750nm	nie = 2,61 ne = 2,66	nie = 2,60 ne = 2,65
Stała dielektryczna	c ~ 9,66	c ~ 9,66
Przewodność cieplna (typ N, 0,02 om.cm)	a~4,2 W/cm·K@298K c~3,7 W/cm·K@298K
Przewodność cieplna (półizolacyjna)	a~4,9 W/cm·K@298K c~3,9 W/cm·K@298K	a~4,6 W/cm·K@298K c~3,2 W/cm·K@298K
Przerwa pasmowa	3,23 eV	3,02 eV
Awaria pola elektrycznego	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Prędkość dryfu nasycenia	2,0×105m/s	2,0×105m/s

Wafel / wlewki SiC typu 4H-N / o wysokiej czystości 2-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC 3-calowy wafel SiC 4H N-Type 4-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC 6-calowy wafel / wlewki 4H N-Type SiC	4H półizolujące / wysoka czystośćWafel SiC 2-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 3-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 4-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H 6-calowy półizolacyjny wafel SiC 4H
Wafel SiC 6H N-Type 2-calowy wafel / wlewek SiC 6H N-Type	Dostosowany rozmiar dla 2-6 cali

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Opłatek azotku galu

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Opłatek azotku galu

szczegółowe informacje o produktach

10 x 10 x 0,5 mm wafel z węglika krzemu 4H - N kryształowe chipy SiC

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Opłatek azotku galu

Podłoże szafirowe

Sapphire Optical Windows

Płytka z węglika krzemu

Szafirowa tuba

Podłoże półprzewodnikowe

Syntetyczny kamień szlachetny

Części ceramiczne

Sprzęt naukowy laboratoryjny

Sapphire Crystal Watch Case

Pudełko na wafle

Nadprzewodzące cienkie podłoże monokrystaliczne

Opłatek azotku galu

10 x 10 x 0,5 mm wafel z węglika krzemu 4H - N kryształowe chipy SiC

Wafel z węglika krzemu 10x10x0

5mm

wióry SiC wafel z węglika krzemu

O węgliku krzemu (SiC)Crystal