Płytki z węglowodorku krzemowego Zindywidualizowany rozmiar Półizolacyjne płytki z węglowodorku krzemowego prawie bezbarwne Przejrzyste Wysokoprężne

Wafer z węglem krzemowym Zindywidualizowany rozmiar Półizolacyjne płytki SiC Prawie bezbarwne Przejrzystość Wysokiego ciśnienia

2/3, 4/6, 6/6, 6H-N/4H-SEMI/ 4H-N ingoty SIC/Wysoka czystość 4H-N 4/6, średnica 150 mm karbidu krzemowego, substraty jednokrystaliczne, płytki, ingoty krystaliczneo pojemności nieprzekraczającej 10 W,Płytki krystaliczne z węglanu krzemowego/Płytki krystaliczne na zamówienie

Abstrakt płytki z węglanu krzemu

Karbid krzemowy (SiC) jest rodzajem funkcjonalnego szerokopasmowego materiału półprzewodnikowego złożonego z luki.półizolowany węglik krzemowy ma szeroki zakres perspektyw zastosowańKarbid krzemowy ma wiele dobrych właściwości, dzięki czemu utrzymuje wyjątkową pozycję korzystną.

Przewodność cieplna węglanu krzemu jest ponad 3 razy większa niż w krzemu, co może zapewnić lepsze rozpraszanie ciepła w elektrotechnice i sprzęcie.Karbid krzemowy ma wyższe napięcie awaryjne i może wytrzymać wyższe pole elektryczne przed awariąKarbid krzemowy ma doskonałą wydajność i wysoką temperaturę pracy.stabilna i niezawodna praca, a maksymalna temperatura pracy może osiągnąć 600 ° C. Karbid krzemowy ma niższy opór włączony, wysokie napięcie awaryjne i szerszą przepustkę pasmową, co pozwala na zmniejszenie oporu w przełącznikach zasilania.

Półizolowany węglik krzemowy (semi SiC) jest specjalnym rodzajem materiału węglika krzemowego.silna zdolność przeciwpromieniowania i inne wyższe osiągiJest to bardzo cenny nowy funkcjonalny materiał półprzewodnikowy, o wyjątkowych właściwościach elektrycznych, termicznych i odpornych na promieniowanie.półizolowany węglik krzemowy ma szerokie perspektywy zastosowań w wysokiej mocy, wysokiej częstotliwości, wysokiej temperatury i innych dziedzin.

Widowisko płytki z węglanu krzemowego

Parametry płytki z węglanu krzemowego

Karbid krzemowy to związek półprzewodnikowy składający się z krzemu i węgla, należący do materiału szerokopasmowego.który daje półprzewodnikom węglika krzemowego wysoki mechanicznyCharakterystyka szerokopasmowej luki i wysoka stabilność termiczna pozwalają na stosowanie urządzeń SIC w temperaturze łączenia wyższej niż w przypadku krzemu.Może być stosowany do polerowania półizolowanych płyt półprzewodnikowych z węglanu krzemu z obu stronNa przykład parametry procesu 4-calowych płyt półprzewodnikowych z węglem krzemu są następujące:

Parametry półizolowanych płytek z węglanu krzemu

Pytania i odpowiedzi

1- Do czego używany jest półprzewodnik z węglem krzemu?

Materiał o szerokim zakresie przepustowości (WBG) może przenosić energię elektryczną wydajniej niż mniejsze półprzewodniki o szerokim zakresie przepustowości.Elektronika mocy, taka jak falowniki trakcyjne w pojazdach elektrycznych i konwertery prądu stałego/prądu stałego do ładowarek pojazdów elektrycznych i klimatyzatorów.

2Jaka jest różnica między SI a SiC?

MOSFET na bazie węglanu krzemowego (SiC) zapewniają znacznie wyższy poziom wydajności w porównaniu z wersjami na bazie krzemu (Si), chociaż nie zawsze łatwo jest zdecydować, kiedy ta technologia jest lepszym wyborem.

3- Dlaczego SiC jest lepszy od krzemu?

Przewodność cieplna SiC jest prawie 3,5 razy lepsza niż Si, co pozwala rozpraszać więcej energii (ciepła) na jednostkę powierzchniPodczas gdy opakowanie może być czynnikiem ograniczającym podczas ciągłej pracy, znaczący dodatkowy margines oferowany przez SiC zapewnia dodatkową pewność w zastosowaniach podatnych na przejściowe zdarzenia termiczne.